[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在审

申请号：	202080089801.3	申请日：	2020-02-05
公开（公告）号：	CN114902381A	公开（公告）日：	2022-08-12
发明（设计）人：	冈岛优作	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/31	分类号：	H01L21/31
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	曾贤伟;李平
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置半导体制造方法以及存储介质
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【说明书】：

本发明提供一种能够对设置于反应管的内部的基板(晶圆)的表面实施均匀的成膜处理的技术，将基板处理装置构成为具备：反应管，其在内部容纳基板；喷嘴容纳部，其在反应管的侧方沿与基板的表面平行的方向延伸并与基板对应地配置；气体供给喷嘴，其插入喷嘴容纳部的内部，并从反应管的外侧延伸至反应管的内部；以及第一气体供给部，其向气体供给喷嘴供给第一气体。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

背景技术

作为用于在反应管的内部多层地配置作为处理对象的多个基板并对基板进行处理的基板处理装置，记载有如下基板处理装置，其具有：反应容器，其进行在基板上生成包括多个元素的膜的处理；加热器，其对该反应容器内进行加热；至少一个喷嘴，其至少一部分以与加热器对置的方式设于反应容器内，且向反应容器内供给第一气体，该第一气体包含构成膜的多个元素中的至少一个元素，且能够单独地使膜沉积；以及流通管，其设置为覆盖该喷嘴的至少与加热器对置的部分，且使第二气体在内部流通并将其供给至反应容器内，该第二气体包含构成膜的多个元素中的至少一个元素，且无法单独地使膜沉积。例如专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-244443号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在立式的基板处理装置中，从反应管的下侧起沿垂直方向设置喷嘴，在喷嘴形成有与设置于反应管的内部的晶圆的数量相应的多个孔。在这样的结构中将包含构成膜的多个元素中的至少一个元素且能够单独地使膜沉积的第一气体从喷嘴向反应管的内部喷射，由此第一气体被加热器加热，在沿垂直方向延伸的喷嘴的内部进行分解，因此，分解的程度在喷嘴的上下方向上不同，在载置于反应管的上部的晶圆和载置于下部的晶圆中，成膜的状态不同。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，在本公开中，基板处理装置构成为，具备：反应管，其容纳基板；喷嘴容纳部，其在反应管的侧方沿与基板的表面平行的方向延伸，并与基板对应地配置；多个气体供给喷嘴，其插入喷嘴容纳部的内部，且从反应管的外侧延伸至反应管的内部；以及第一气体供给部，其向气体供给喷嘴供给第一气体。

发明效果

根据本公开，能够提高多个基板的每一个的处理均匀性。

附图说明

图1A是表示本公开的第一实施例的基板处理装置的主要部分的结构的剖视图。

图1B是表示本公开的第一实施例的基板处理装置的控制器的结构的框图。

图2是表示本公开的第一实施例的基板处理装置的气体供给部的结构的剖视图。

图3是表示本公开的第一实施例的气体供给源的结构的框图。

图4是表示本公开的第一实施例的基板处理装置的将气体供给部装配于内管的状态的剖视图。

图5是表示本公开的第一实施例的基板处理方法的处理的流程的流程图。

图6是表示本公开的第一实施例的第一变形例的基板处理装置的主要部分的结构的剖视图。