[发明专利]发光装置的制造方法和发光装置

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，包含将在同一面侧具备p侧电极和n侧电极的发光元件设置于基材上的工序，其特征在于，

所述工序依次包含：

准备空出规定的间隔而形成有正极侧的配线晶种层和负极侧的配线晶种层的基材的步骤；

在所述基材上的载置有所述发光元件的区域内形成抗蚀图案的至少一部分的步骤；

以所述p侧的电极和所述正极侧的配线晶种层分隔对置，并且所述n侧的电极和所述负极侧的配线晶种层分隔对置的方式，将所述发光元件载置于所述抗蚀图案上的步骤；

以所述抗蚀图案为掩膜，对所述正极侧的配线晶种层和与该正极侧的配线晶种层分隔配置的所述p侧电极之间、以及所述负极侧的配线晶种层和与该负极侧的配线晶种层分隔配置的所述n侧电极之间进行电镀接合的步骤；

除去所述抗蚀图案的步骤。

2.一种发光装置的制造方法，包含将在同一面侧具备p侧电极和n侧电极的发光元件设置在基材上的工序，其特征在于，

所述工序依次包含：

在所述基材上，形成正极侧的配线晶种层和负极侧的配线晶种层的步骤；

在所述基材上的载置有所述发光元件的区域内形成抗蚀图案的至少一部分的步骤；

以所述p侧电极和所述正极侧的配线晶种层分隔对置，并且所述n侧电极和所述负极侧的配线晶种层分隔对置的方式，将所述发光元件载置于所述抗蚀图案上的步骤；

以所述抗蚀图案为掩膜，对所述正极侧的配线晶种层和与该正极侧的配线晶种层分隔配置的所述p侧电极之间、以及所述负极侧的配线晶种层和与该负极侧的配线晶种层分隔配置的所述n侧电极之间进行电镀接合的步骤；

除去所述抗蚀图案的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

形成所述抗蚀图案，所述抗蚀图案具有小于所述发光元件的平面尺寸的平面尺寸。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，

所述抗蚀图案具有黏着性，由此能够对载置的所述发光元件进行粘贴并支承。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

所述基材为非透明。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的制造方法，

在所述基材上配置至少两个所述发光元件，

以所述正极侧的配线晶种层和所述负极侧的配线晶种层分别在大致相同方向延伸的方式在所述基材上形成各配线晶种层，

在所述基材上，在空出规定的间隔而至少载置有两个发光元件的区域内分别形成所述抗蚀图案的至少一部分，在各抗蚀图案上分别配置所述发光元件。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

在所述正极侧的所述配线晶种层上或者所述负极侧的配线晶种层上的、彼此相邻的一方所述发光元件和另一方所述发光元件之间的部分，进一步形成第二抗蚀图案。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，

从相对于所述正极侧的所述配线晶种层或所述负极侧的配线晶种层的延伸方向垂直的方向的一端至另一端连续地形成所述第二抗蚀图案。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中，

在所述抗蚀图案和所述第二抗蚀图案的除去后，在所述第二抗蚀图案的除去部位处切断所述配线晶种层。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的制造方法，其中，

包含准备发光元件搭载载体基材的工序，在将发光元件载置于所述抗蚀图案上之前，以所述发光元件的发光面和载体基材对置的方式将所述发光元件设置在所述载体基材上，

以所述发光元件搭载载体基材的所述发光元件的电极面和所述抗蚀图案对置的方式，将所述发光元件搭载载体基材设置在所述抗蚀图案上，从该发光元件搭载载体基材剥离所述载体基材。