[发明专利]电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法

权利要求书

1.一种电阻装置，

具备场效应晶体管和电压施加电路，

所述电压施加电路通过在所述场效应晶体管的栅极-源极之间施加对应于温度的控制电压，对所述场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻值进行控制，

所述控制电压是指在基准电压上加上校正电压之后的电压，

所述校正电压依赖于所述温度，并被设定为在第一温度时是零。

2.根据权利要求1所述的电阻装置，其特征在于，

所述电压施加电路包含温度检测部和控制电压施加部，

所述温度检测部输出对应于所述温度的检测信号，

所述控制电压施加部根据所述检测信号生成所述控制电压，使所述控制电压包含相对于所述温度进行线性变化的所述校正电压，并将所述控制电压施加在所述场效应晶体管的栅极-源极之间。

3.根据权利要求1或2所述的电阻装置，其特征在于，

所述第一温度表示相对于校正系数的变化而所述场效应晶体管相关物理量基本一定时的温度，所述校正系数是指用于确定所述校正电压的系数。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电阻装置，其特征在于，

校正系数是指用于确定所述校正电压的系数，关于所述校正系数的值，基于在所述第一温度下获得所述场效应晶体管相关目标物理量时的所述基准电压，在不同于所述第一温度的第二温度下获得所述目标物理量时的值就是所述校正系数的值。

5.根据权利要求2所述的电阻装置，其特征在于，

所述温度检测部包含生成第一电流的第一电流源电路和生成第二电流的第二电流源电路，

所述第一电流源电路的温度依赖性与所述第二电流源电路的温度依赖性不同，

所述第一电流源电路和所述第二电流源电路串联连接，

所述第一电流与所述第二电流的差值电流是所述检测信号，

通过所述第一电流源电路对所述第一电流的电流值进行的改变和/或所述第二电流源电路对所述第二电流的电流值进行的改变，使所述第一温度发生变化。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电阻装置，其特征在于，

所述电压施加电路在所述场效应晶体管的栅极-源极之间施加所述控制电压，控制所述场效应晶体管的第一动作区域中的漏极-源极之间的电阻值，

所述第一动作区域是指所述场效应晶体管的栅极-源极之间的电压的大小比阈值电压的大小大的区域。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的电阻装置，其特征在于，

所述电压施加电路在所述场效应晶体管的栅极-源极之间施加所述控制电压，控制所述场效应晶体管的第二动作区域中的漏极-源极之间的电阻值，

所述第二动作区域是指所述场效应晶体管的栅极-源极之间的电压的大小比阈值电压的大小小的区域。

8.一种集成电路装置，

集成了权利要求1至7中任一项所述的电阻装置的所述场效应晶体管和所述电压施加电路。

9.一种体内植入装置，植入在体内，其特征在于，

具备刺激装置和测量装置中的至少一个装置，所述刺激装置用于向活体组织发出刺激信号，所述测量装置用于测量活体信号，

所述刺激装置和所述测量装置中至少一个装置包含权利要求8所述的集成电路装置。