[发明专利]电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法

说明书

电阻装置(100)具备场效应晶体管(TN)和电压施加电路(1)。电压施加电路(1)通过在场效应晶体管(TN)的栅极‑源极之间施加对应于温度(T)的控制电压(Vgs)，对场效应晶体管(TN)的漏极‑源极之间的电阻值(R)进行控制。控制电压(Vgs)是指在基准电压(Vgs0)上加上校正电压(Vc)之后的电压。校正电压(Vc)依赖于温度(T)，并被设定为在第一温度(T1)时是零。

技术领域

本发明涉及电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法。

背景技术

专利文献1记载的放大电路具备作为反馈电阻的场效应晶体管以及电阻校正部。电阻校正部用于校正由温度变化导致场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻波动。

也就是说，在场效应晶体管的栅极-源极之间的电压Vgs一定的情况下，由于阈值电压Vth的变化使温度变高时，漏极-源极之间的电阻Rds就变低。另一方面，温度变低时，漏极-源极之间的电阻Rds就变高。于是，电阻校正部进行控制，相对于场效应晶体管的栅极端子施加阈值电压Vth以下的栅极电压Vg，使电压Vgs与阈值电压Vth的差(Vgs-Vth)达到一定的值，从而使场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻Rds达到规定值。

具体来说，电阻校正部具有温度检测部。温度检测部输出相对于温度变化进行线性变化的电压或者电流。电阻校正部基于温度检测部输出的电流或者电压，对场效应晶体管的栅极端子施加阈值电压以下的栅极电压Vg，使场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻Rds达到规定值。

更具体来说，电阻校正部还具有存储部和运算部。存储部存储着温度检测部所输出的电流或者电压与温度检测部的温度之间的关系。还有，存储部存储着温度检测部的温度与施加到场效应晶体管的栅极端子上的栅极电压Vg之间的关系。

关于温度检测部所输出的电流或者电压与温度检测部的温度之间的关系，是通过事先测量温度与温度检测部所输出的电流或者电压之间的关系，而存储在存储部中的。关于温度检测部的温度与施加到场效应晶体管的栅极端子上的栅极电压Vg之间的关系，是在各温度中确定栅极电压Vg来使场效应晶体管的栅极-源极之间的电压Vgs与阈值电压Vth之差(Vgs-Vth)达到一定的值，从而存储在存储部中的。

运算部根据存储部中存储的温度检测部所输出的电流或者电压与温度检测部的温度之间的关系，基于温度检测部所输出的电流或者电压，求出温度检测部的温度。还有，运算部根据存储部中存储的温度检测部的温度与施加到场效应晶体管的栅极端子上的栅极电压Vg之间的关系，基于求出的温度，确定施加到场效应晶体管的栅极端子上的栅极电压Vg。

〔专利文献〕

专利文献1：日本特开2015-122635号公报

发明内容

然而，专利文献1中，没有记载栅极电压Vg的确定方法，即没有记载如何确定栅极电压Vg来使场效应晶体管的电压Vgs与阈值电压Vth之差(Vgs-Vth)在多个不同的温度下达到一定的值。

换句话说，专利文献1中，没有记载对栅极电压Vg进行校正的校正值确定方法，即，如何对栅极电压Vg进行校正，降低场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻Rds(场效应晶体管相关物理量的一个例子)的温度依赖性，从而使电阻Rds达到规定值。

本发明的目的是提供电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法，它们能够高效地确定校正系数与场效应晶体管相关所需物理量的组合，其校正系数是为了降低场效应晶体管相关所需物理量的温度依赖性而对施加在栅极-源极之间的控制电压进行校正时的校正系数。

根据本发明的一方式，电阻装置具备场效应晶体管和电压施加电路。电压施加电路通过在所述场效应晶体管的栅极-源极之间施加对应于温度的控制电压，对所述场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻值进行控制。所述控制电压是指在基准电压上加上校正电压之后的电压。所述校正电压依赖于所述温度，并被设定为在第一温度时是零。