[发明专利]用于激光切割的具有三维光电子组件的器件和用激光切割这种器件的方法

权利要求书

1.一种被配置为用激光(18)进行处理的器件(20)，包括对所述激光透明的支撑件(22)和至少一个光电子电路(30)，所述光电子电路(30)包括具有用有源层(72)覆盖的三维半导体元件(52)的至少一个光电子组件(50)，所述三维半导体元件包括结合到所述支撑件的基底(53)，所述器件包括吸收所述激光的区域(28)，其位于所述支撑件上并围绕所述基底，吸收区(28)包括光子晶体(60)。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述光子晶体(60)是二维光子晶体。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述光子晶体(60)包括由第一材料制成的基层(64)和由不同于所述第一材料的第二材料制成的柱(66)格栅，每个柱在所述基层中跨所述基层的至少一部分厚度延伸。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述第一材料对所述激光(18)的吸收系数小于1。

5.根据权利要求3所述的器件，其中所述第一材料对所述激光(18)的吸收系数介于1到10之间。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的器件，其中所述第二材料对所述激光(18)的吸收系数小于1。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述吸收区(28)包括围绕所述基底(53)的吸收层(40)，所述吸收层由对所述激光(18)的吸收系数介于1到10之间的第三材料制成。

8.根据权利要求7所述的器件，包括介于所述吸收层(40)和所述支撑件(22)之间的电绝缘层(42)。

9.根据权利要求7或8所述的器件，包括介于所述吸收层(40)和所述三维半导体元件(52)之间的电绝缘层(42)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，其中所述支撑件(22)包括对所述激光透明的衬底(32)和由第四材料制成的垫(62)，所述第四材料有利于介于所述衬底(32)和所述三维半导体元件(52)的所述基底(53)之间的所述三维半导体元件(52)的生长。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述吸收区(28)围绕所述垫(62)。

12.根据权利要求10或11中任一项所述的器件，其中所述第四材料是元素周期表IV、V或VI族的过渡金属的氮化物、碳化物或硼化物或这些化合物的组合或其中所述第四材料为氮化铝、氧化铝、硼、氮化硼、钛、氮化钛、钽、氮化钽、铪、氮化铪、铌、氮化铌、锆、硼酸锆、氮化锆、碳化硅、碳氮化钽、氮化镁或这些化合物中至少两种的混合物。

13.根据引用权利要求3的权利要求10所述的器件，其中所述第四材料与所述第二材料相同。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的器件，其中所述支撑件(22)包括第一和第二相对的表面(24、26)，所述激光(18)旨在从所述第一表面穿过所述支撑件到达所述第二表面，所述吸收区(28)至少部分地覆盖所述第二表面。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，包括所述光电子组件(50)的多个副本，所述光电子组件(50)的所述基底(53)结合到所述支撑件(22)。

16.制造根据权利要求1至15中任一项所述的器件(20)的方法，包括在所述支撑件(22)上外延生长所述三维半导体元件(52)。

17.一种根据权利要求1至15中任一项所述的器件(20)的用激光(18)进行处理的方法，所述方法包括通过所述支撑件(22)使所述吸收区(28)暴露于激光束(18)。

18.根据权利要求17所述的方法，包括将所述光电子电路(30)结合到插座(90)，所述光电子电路仍然耦合到所述支撑件(22)，并且用所述激光(18)破坏所述吸收区(28)的至少一部分。