[发明专利]用于激光切割的具有三维光电子组件的器件和用激光切割这种器件的方法

说明书

本说明书涉及一种激光(18)处理器件(20)，包括对激光透明的支撑件(22)和至少一个光电子电路(30)，该光电子电路(30)包括具有用有源层覆盖的三维半导体元件(52)的至少一个光电子组件(50)，该三维半导体元件包括结合到支撑件的基底(53)，该器件包括吸收激光的区域(28)，其位于支撑件上并围绕基底。

本专利申请主张法国专利申请FR19/15605的优先权，该专利申请在此纳入作为参考。

技术领域

本发明一般地涉及用于激光切割的具有三维光电子组件的器件和用激光切割这种器件的方法。

背景技术

对于某些应用，需要能够通过支撑件，对位于对激光基本透明的第一支撑件上的物体进行激光切割，例如，将物体与第一支撑件分离并将物体转移到第二支撑件上。为此，吸收激光的层通常介于待分离的物体和第一支撑件之间，并且激光束聚焦在该吸收层上，吸收层的烧蚀导致将物体与第一支撑件分离。吸收层例如对应于金属层，特别是金层。

在物体是光电子电路的情况下，需要第一支撑件对应于其上形成有光电子电路的衬底。这能够避免必须将光电子电路转移到第一支撑件上。在这种情况下，吸收层对应于形成有光电子电路的层。然而，当光电子电路包括三维光电子组件，特别是三维发光二极管时，形成这些三维光电子组件的方法可能对吸收层施加额外的限制。实际上，形成三维光电子组件的方法可包括具有由于外延步骤所需的温度，不能直接在金属吸收层上实现的三维半导体元件的外延生长步骤。然而，这样难以形成由非金属材料制成的吸收层(此材料与该层上的三维半导体元件的外延生长兼容，并且还具有所需的吸收特性)。尤其是在具体出于成本原因或技术可行性原因而导致吸收层的厚度受到限制时会出现此情况。然后可能需要增加用于获得吸收层烧蚀的激光的功率，这可能导致靠近吸收层的区域劣化，尤其是形成要分离的光电子电路的一部分的区域，这种情况是不希望发生的。

发明内容

因此，实施例的目标是至少部分地克服上述用于激光切割的具有三维光电子组件的器件和上述用激光切割这种器件的方法的缺点。

实施例的目标是使激光束通过器件的一部分聚焦到器件的待去除区域上。

实施例的另一目标是使靠近待去除区域的面积不被处理损坏。

实施例的另一目标是使器件制造方法不包括将一个元件转移到另一元件上的步骤。

实施例的另一目标是使器件制造方法包括外延沉积步骤。

一个实施例提供了一种被配置为用激光进行处理的器件，包括对所述激光透明的支撑件和至少一个光电子电路，所述光电子电路包括具有用有源层覆盖的三维半导体元件的至少一个光电子组件，所述三维半导体元件包括结合到所述支撑件的基底，所述器件包括吸收所述激光的区域，其位于所述支撑件上并围绕所述基底。

根据一个实施例，所述吸收区包括光子晶体。

根据一个实施例，所述光子晶体是二维光子晶体。

根据一个实施例，所述光子晶体包括由第一材料制成的基层和由不同于所述第一材料的第二材料制成的柱格栅，每个柱在所述基层中跨所述基层的至少一部分厚度延伸。

根据一个实施例，所述第一材料对所述激光的吸收系数小于1。

根据一个实施例，所述第一材料对所述激光的吸收系数介于1到10之间。

根据一个实施例，所述第二材料对所述激光的吸收系数小于1。

根据一个实施例，所述吸收区包括围绕所述基底的吸收层，所述吸收层由对所述激光的吸收系数介于1到10之间的第三材料制成。

根据一个实施例，所述器件包括介于所述吸收层和所述支撑件之间的电绝缘层。

根据一个实施例，所述器件包括介于所述吸收层和所述三维半导体元件之间的电绝缘层。