[发明专利]三维存储器阵列中变化的沟道宽度

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

多条字线，布置在垂直堆叠体中；以及

沟道，垂直延伸穿过所述多条字线，其中，所述沟道包括第一区域和在所述第一区域下方的第二区域，所述沟道的所述第一区域具有比所述沟道的所述第二区域的第二宽度小至少1nm的第一宽度。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，还包括：

在所述多条字线下面的层，其中，所述沟道延伸穿过所述层的至少一部分，

其中，所述沟道的所述第一区域延伸穿过所述多条字线，并且

其中，所述沟道的所述第二区域延伸穿过所述多条字线下面的所述层的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中，所述层是以下中的一个：(i)所述存储器阵列的选择栅极源极(SGS)，或(ii)隔离层，所述隔离层用于将所述存储器阵列的第一存储器层面与所述存储器阵列的第二存储器层面隔离。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中，所述第一区域的所述第一宽度比所述第二区域的所述第二宽度小至少3nm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中：

所述多条字线是第一多条字线，并且所述沟道是第一沟道；

所述第一多条字线和所述第一沟道包括在所述存储器阵列的第一存储器层面中；

所述存储器阵列还包括第二存储器层面，所述第二存储器层面包括第二多条字线和第二沟道；

所述第一存储器层面和所述第二存储器层面由层面间插塞和隔离区域分离；并且

所述第二沟道包括第三区域和第四区域，所述第二沟道的所述第三区域具有与所述第二沟道的所述第四区域的第四宽度不同的第三宽度，所述第三宽度与所述第四宽度相差至少1nm。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中：

所述第一存储器层面在所述第二存储器层面下面；

所述第一存储器层面的所述第一多条字线在选择栅极源极(SGS)上方，并且所述第二存储器层面的所述第二多条字线在所述隔离区域上方；

所述第一沟道的所述第一区域与所述第一多条字线中的字线横向相邻；

所述沟道的所述第二区域与所述SGS横向相邻，所述第二宽度大于所述第一宽度；

所述第二沟道的所述第三区域与所述第二多条字线中的字线横向相邻；并且

所述第二沟道的所述第四区域与所述隔离区域和所述层面间插塞横向相邻，所述第四宽度大于所述第三宽度。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中，所述第一宽度与所述第二宽度相差至少5纳米。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中，所述第一宽度为至少10纳米，并且所述第二宽度在4-7纳米的范围内。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，还包括：

多个存储器单元，每个存储器单元形成在对应WL和所述沟道的对应结处。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中，所述沟道为掺杂中空沟道(DHC)。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中：

所述第一宽度是所述沟道的所述第一区域的平均水平宽度；并且

所述第二宽度是所述沟道的所述第二区域的平均水平宽度。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器阵列，其中：

所述第一宽度是所述沟道的所述第一区域沿着所述第一区域的垂直长度的最大水平宽度；并且

所述第二宽度是所述沟道的所述第二区域沿着所述第二区域的垂直长度的最小水平宽度。