[发明专利]用于衬底处理系统的高精度边缘环对中

说明书

一种用于等离子处理系统的边缘环对中系统包括处理室，其包括衬底支撑件和R个边缘环形升降销，其中R是大于或等于3的整数。边缘环包括位于其底面的P个凹槽，其中P为大于或等于R的整数。机械手臂包括末端执行器。控制器被配置为：使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第一位置；使所述机械手臂将所述边缘环传送到所述边缘环升降销上的第一中心位置；从所述边缘环升降销中取出所述边缘环；以及使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第二位置。

技术领域

本公开涉及用于衬底处理系统的边缘环对中，更具体地涉及用于等离子体处理系统的可移除边缘环的高精度对中。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。

衬底支撑件可以包括布置成支撑衬底的陶瓷层。例如，衬底可以在处理期间被静电夹持到陶瓷层。衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部(例如，在周边之外和/或周边附近)布置的边缘环。可以提供边缘环以限制和/或成形位于衬底上方的等离子体并提高蚀刻均匀性。

发明内容

一种用于等离子处理系统的边缘环对中系统包括处理室，其包括衬底支撑件和R个边缘环形升降销，其中R是大于或等于3的整数。边缘环包括位于其底面的P个凹槽，其中P为大于或等于R的整数。机械手臂包括末端执行器。控制器被配置为：使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第一位置；使所述机械手臂将所述边缘环传送到所述边缘环升降销上的第一中心位置；从所述边缘环升降销中取出所述边缘环；以及使所述光学传感器感测所述边缘环在所述末端执行器上的第二位置。

在其他特征中，所述控制器还被配置为基于所述第二位置和所述第一位置之间的差产生第一偏移。所述控制器还被配置为基于所述第一中心位置和所述第一偏移生成用于所述边缘环的第一调整后的中心位置。

在其他特征中，所述控制器还被配置为：使所述机械手臂基于所述第一调整后的中心位置将所述边缘环传送到所述边缘环升降销上；从所述边缘环升降销取出所述边缘环；以及使所述光学传感器感测所述边缘环在所述机械手臂上的第三位置。

在其他特征中，所述控制器还被配置为基于所述第三位置和所述第二位置之间的差产生第二偏移。所述控制器还被配置为基于所述第一调整后的中心位置和所述第二偏移来生成第二调整后的中心位置。

在其他特征中，所述控制器还被配置为：使所述机械手臂基于所述第二调整后的中心位置将所述边缘环输送到所述边缘环升降销上；从所述边缘环升降销取出所述边缘环；以及使所述光学传感器感测所述边缘环在所述机械手臂上的第四位置。所述控制器还被配置为基于所述第四位置和所述第三位置之间的差产生第三偏移。所述控制器还被配置为将所述第三偏移与预定偏移进行比较。

在其他特征中，所述控制器还被配置为基于所述比较来确定所述边缘环是否居中。所述P个凹槽为“V”形。所述P个凹槽围绕所述边缘环的底面间隔360°/P。所述P个凹槽为“V”形。所述P个凹槽的最底部部分沿径向方向延伸。

根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：