[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

电容器(9ha)包括：栅极电极(14a)、第一层间绝缘膜(15)、电容电极(16c)和电容布线(18ha)，电容布线(18ha)与电容电极(16c)电连接，在隔着第一层间绝缘膜(15)对置配置的电容电极(16c)以及电容布线(18ha)与栅极电极(14a)之间形成电容器(9ha)的电容，电容布线(18ha)的线宽(Wsubgt;18h/subgt;)为电容电极(16c)的线宽(Wsubgt;16c/subgt;)以上且栅极电极(14a)的线宽(Wsubgt;14a/subgt;)以下。

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(ElectroLuminescence，以下，称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在此，在有源矩阵驱动方式的有机EL显示装置中，例如，在作为图像的最小单位的每个子像素中，设置有包含驱动用的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)的多个TFT、以及与驱动用TFT电连接的电容器(电容元件)。

例如，在专利文献1中公开了设置2个以上与保持电容布线对置配置的上侧保持电容电极，在各上侧保持电容电极上的层间绝缘膜形成接触孔，经由接触孔使层间绝缘膜上的像素电极与各上侧保持电容电极导通。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-287290号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

另外，提出了如下有机EL显示装置，各子像素的电容例如包括：具有以彼此对置的方式设置的下部电极和上部电极、以及设置于下部电极和上部电极之间的无机绝缘膜，在各子像素中，具有由驱动用TFT的栅极电极与电容的下部电极一体地呈岛状设置的结构。

在此，在具有上述结构的有机EL显示装置中，为了形成上部电极，在将金属膜成膜后对该金属膜进行图案化时，有时会发生蚀刻位移。例如，在蚀刻偏移量大的情况下，上部电极的线宽相对于下部电极的线宽变细。在发生了这样的不良情况的电容器中，伴随着上部电极和下部电极在俯视下彼此重叠的部分的面积(形成电容器的电容的面积)的减少，电容减少。这样，由于蚀刻位移量的偏差，各子像素的电容器的电容发生变化时，在图像显示时有可能产生显示不均(斑点)。

本发明是鉴于这一方面而完成的，其目的在于抑制各子像素的电容器的电容变化。

解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明所涉及显示装置包括：基底基板；薄膜晶体管层，其在所述基底基板上依次层叠有半导体层、栅极绝缘膜、第一金属层、第一层间绝缘膜、第二金属层、第二层间绝缘膜以及第三金属层，并按每个子像素配置有薄膜晶体管以及电容器；以及有机EL元件层(发光元件层)，其设置在所述薄膜晶体管层上，并按每个所述子像素配置有发光元件，所述薄膜晶体管包括：所述半导体层；以覆盖该半导体层的方式设置的所述栅极绝缘膜；以及栅极电极，其作为所述第一金属层设置在该栅极绝缘膜上，并以在俯视下与该半导体层的一部分重叠的方式配置成岛状，所述显示装置的特征在于，所述电容器包括：所述栅极电极；设置在该栅极电极上的所述第一层间绝缘膜；电容电极，其作为所述第二金属层设置在该第一层间绝缘膜上，并以在俯视下与该栅极电极重叠的方式配置；以及电容布线，其作为所述第三金属层设置在该电容电极上，并以在俯视下与该电容电极以及该栅极电极重叠的方式配置，所述电容布线与所述电容电极电连接，在隔着所述第一层间绝缘膜对置配置的所述电容电极以及所述电容布线与所述栅极电极之间形成所述电容器的电容，所述电容布线的线宽为所述电容电极的线宽以上且所述栅极电极的线宽以下。

发明效果

根据本发明，能够抑制各子像素的电容器的电容变化。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。