[其他]用于处理腔室的腔室元件

说明书

揭示了用于处理腔室的腔室元件。在一个实施方式中，用于处理腔室的所述腔室元件包括具有一体式整体构造的元件部件主体。元件部件主体具有外表面。在外表面上形成设计复合表面。设计复合表面具有由多个第一互连板条形成的第一格子状框架，并且由多个板条中的三个或更多个板条界定多个第一开口。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置的制造中使用的设备的腔室元件。

背景技术

可靠地生产次半微米(sub-half micron)和更小的特征是半导体装置的下一代超大规模集成电路(VLSI)和极大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。但是，随着电路技术极限的推升，VLSI和ULSI互连技术的尺寸不断缩小，对处理能力提出了更高的需求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI和ULSI的成功以及对提高电路密度和单个基板和裸片品质的持续努力都是重要的。

随着集成电路元件的尺寸减小(例如，减小到深次微米尺寸)，必须仔细选择用于制造这种元件的材料，以获得令人满意的电性能水平。例如，当相邻金属互连之间的距离和/或隔离互连的介电体绝缘材料的厚度具有次微米尺寸时，在金属互连之间发生电容耦合的可能性很高。相邻金属互连之间的电容耦合可能会导致串扰和/或电阻-电容(RC)延迟，这会降低集成电路的整体性能，并可能使电路无法工作。

次半微米和较小特征的制造依赖于各种处理设备，例如物理气相沉积腔室 (PVD)等。沉积腔室使用RF线圈以在处理腔室中保持等离子体。PVD腔室中利用的现有腔室元件可具有高温差，这会导致在PVD腔室运行期间粘附在元件上的材料产生较高的膜应力。在膜达到临界厚度之后，较高的膜应力可能会在PVD腔室运行期间导致沉积材料剥落。沉积材料的剥落会导致PVD腔室内部的污染(即颗粒)增加，这会导致基板缺陷和低产量。因此，污染的高风险不合意地需要增加清洁和维护PVD腔室的频率。

因此，需要有助于减少处理腔室的污染的改善的腔室元件。

实用新型内容

揭示了形成为腔室元件的一部分或形成在腔室元件上的设计特征的实施方式。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的腔室元件包括具有一体式整体构造的元件部件主体。所述元件部件主体具有外表面。在所述外表面上形成设计复合表面。所述设计复合表面具有由多个第一互连板条形成的第一格子状框架，并且由多个板条中的三个或更多个板条界定多个第一开口。

附图说明

为了可以详细地理解本发明的上述特征的方式，可以通过参考实施方式来获得以上简要概述的本发明的更详细的描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出本发明的典型实施方式，且因此不应将其视为限制其范围，因为本发明可允许其他等效的实施方式。

图1描绘了具有适合于设计复合表面的元件的处理腔室的一个实施方式的示意性截面图。

图2描绘了具有杯形线圈间隔件的用于图1所示的处理腔室的处理配件。

图3A描绘了图2所示的杯形线圈间隔件的等距视图。

图3B描绘了杯形线圈间隔件的俯视平面图。

图3C描绘了杯形线圈间隔件的侧视示意图。

图4A-图4C示出了应用于图3A的杯形线圈间隔件的设计复合表面的各种实施方式。

图5A描绘了具有设计复合表面的实施方式的图2所示的盖环的等距视图。

图5B示出了图5A所示的盖环的一部分的放大图。

图6A描绘了具有设计复合表面的实施方式的图2所示的沉积环的等距视图。

图6B示出了图6A所示的沉积环的一部分的放大图。