[发明专利]半导体器件的蒸镀方法有效
| 申请号： | 202110000686.4 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112323022B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陆翼森;陈家洛;杨国文;张艳春 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司;苏州度亘光电器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将在氧气环境下进行氧化处理并在金属铟表面形成厚度在100nm-1000nm的氧化膜的金属铟放入腔室内；
S2：对腔室进行抽真空后通入保护气体；
S3：对腔室抽真空后，将金属铟加热到第一温度范围内，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第一设定时长；
S4：重复步骤S2；
S5：将金属铟加热到200℃-600℃内并维持第二设定时长，再将金属铟降低到155℃-165℃内并利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第三设定时长；
S6：重复步骤S5多次；
S7：重复步骤S2后，进行蒸发镀膜。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，所述第一温度范围为50℃-80℃，所述第一设定时长为3 min -5min。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，所述第二设定时长为10s-30s；所述第三设定时长为3 min -5min。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，步骤S6包括：当金属铟的温度降低到第三温度范围内时，对腔室抽真空后，供入甲酸气体；并当需要将金属铟加热到第二温度范围内时，停止供入甲酸气体。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，在步骤S3中，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理包括在维持第一设定时长内持续通入甲酸气体。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，在步骤S5中，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理包括在维持的第三设定时长内持续通入甲酸气体。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，在步骤S3中和/或在步骤S5中，甲酸气体的流速为1.5 SLM ~2.5SLM。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，所述保护气体为氮气，且保护气体通入的流速为1 SLM -2SLM。
9.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件的蒸镀方法，其特征在于，在执行步骤S2时，需要执行两次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于度亘激光技术（苏州）有限公司;苏州度亘光电器件有限公司，未经度亘激光技术（苏州）有限公司;苏州度亘光电器件有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110000686.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子级硫酸的生产方法
- 下一篇：眼表液采集器及眼表疾病诊断装置
- 同类专利
- 专利分类
