[发明专利]半导体器件的蒸镀方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的蒸镀方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的蒸镀方法，包括如下步骤：将经过氧化处理的金属铟放入腔室内；对腔室进行抽真空后通入保护气体；对腔室抽真空后，将金属铟加热到第一温度范围内，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第一设定时长；将金属铟加热到第二温度范围内并维持第二设定时长。本发明的半导体器件的蒸镀方法，在将金属铟放入用于蒸镀的腔室前，将金属铟进行氧化，使金属铟裸露的部分形成氧化铟的氧化膜，较自然氧化形成的氧化铟厚度较厚且致密，从而避免了金属铟与作业环境中的卤素、硫、硒、碲等物质反应，形成难以通过还原反应去除的物质，影响铟的蒸镀。

技术领域

本发明涉及半导体相关的技术领域，尤其是涉及一种半导体器件的蒸镀方法。

背景技术

半导体器件常用金属铟进行封装，而金属铟易氧化，形成具有高熔点的氧化铟；由于氧化铟的熔点高达2000℃，利用金属铟进行蒸镀的时候，氧化铟处于未熔融状态，并位于熔融的金属铟的表面，影响利用金属铟进行蒸镀；且金属铟还容易与作业环境中的卤素、硫、硒、碲等物质反应，在对氧化铟进行还原处理的过程中，如果金属铟与卤素、硫、硒、碲等物质反应等其他物质反应，即使进行还原反应也难以形成铟。

发明内容

本发明的目的在于提供半导体器件的蒸镀方法，以缓解金属铟表面形成氧化膜影响利用金属铟进行蒸镀的技术问题。

本发明提供的一种半导体器件的蒸镀方法，包括以下步骤：

S1：将经过氧化处理的金属铟放入腔室内；

S2：对腔室进行抽真空后通入保护气体；

S3：对腔室抽真空后，将金属铟加热到第一温度范围内，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第一设定时长；

S4：重复步骤S2；

S5：将金属铟加热到第二温度范围内并维持第二设定时长，再将金属铟降低到第三温度范围内并利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理并维持第三设定时长；

S6：重复步骤S5多次；

S7：重复步骤S2后，进行蒸发镀膜。

进一步地，所述第一温度范围为50℃-80℃，所述第一设定时长为3 min -5min。

进一步地，所述第二温度范围为200℃-600℃，所述第二设定时长为10s-30s；所述第三温度范围为155℃-165℃，所述第三设定时长为3 min -5min。

进一步地，步骤S6包括：当金属铟的温度降低到第三温度范围内时，对腔室抽真空后，供入甲酸气体；并当需要将金属铟加热到第二温度范围内时，停止供入甲酸气体。

进一步地，在步骤S3中，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理包括在维持第一设定时长内持续通入甲酸气体。

进一步地，在步骤S5中，利用甲酸气体对金属铟的氧化膜进行处理包括在维持第三设定时长内持续通入甲酸气体。

进一步地，在步骤S3中和/或在步骤S5中，甲酸气体的流速为1.5 SLM ~2.5SLM。

进一步地，步骤S1之前还包括S01：将金属铟在氧气环境下进行氧化处理，使其裸露的表面形成氧化膜。

进一步地，所述保护气体为氮气，且保护气体通入的流速为1 SLM -2SLM。

进一步地，在执行步骤S 2时，需要执行两次。

本发明提供的半导体器件的蒸镀方法能产生如下有益效果：