[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

逆变器部，其是全桥逆变器；以及

续流部，其将所述逆变器部的输出端子之间短路，

所述逆变器部的各相具有：

第1开关元件；以及

续流二极管，其与所述第1开关元件反向并联连接，

所述续流部具有2个由第2开关元件与二极管构成的串联连接体，

2个所述串联连接体以导通方向彼此相反的方式在所述输出端子之间并联连接，

在上桥臂的各所述续流二极管与所述输出端子之间、以及下桥臂的各所述续流二极管与所述逆变器部的输入端子之间具有阻抗，

所述阻抗比假设仅通过配线将所述第1开关元件与所述输出端子或者所述输入端子连接的情况下的所述配线的寄生阻抗大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

各所述第1开关元件在所述上桥臂中，通过与和各所述第1开关元件反向并联连接的所述续流二极管被连接于所述输出端子的路径不同的路径而与所述输出端子连接，在所述下桥臂中，通过与和各所述第1开关元件反向并联连接的所述续流二极管被连接于所述输入端子的路径不同的路径而与所述输入端子连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

各所述第1开关元件通过第1外部配线而在所述上桥臂中与所述输出端子连接，在所述下桥臂中与所述输入端子连接，

各所述续流二极管与所述输出端子或者所述输入端子之间的所述阻抗比各所述第1外部配线所具有的寄生阻抗大。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

各所述续流二极管的阳极通过第2外部配线而在所述上桥臂中与所述输出端子连接，在所述下桥臂中与所述输入端子连接，

所述第2外部配线构成所述阻抗。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

各所述续流二极管的有效面积比被反向并联连接各所述续流二极管的所述第1开关元件的有效面积小。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第1开关元件是IGBT。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1开关元件是MOSFET，

所述续流二极管是所述MOSFET的体二极管。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述MOSFET的半导体材料是SiC。