[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的目的在于在半导体装置中抑制传导噪声。半导体装置(101)具有续流部(12)和全桥逆变器即逆变器部(11)，该续流部(12)将逆变器部(11)的输出端子(U‑V)之间短路，在上桥臂的各续流二极管(31、32)与输出端子(U、V)之间、以及下桥臂的各续流二极管(33、34)与逆变器部(11)的输入端子(N)之间具有阻抗(51‑54)，阻抗(51‑54)比假设仅通过配线将IGBT(21‑24)与输出端子(U、V)或者输入端子(N)连接的情况下的配线的寄生阻抗大。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在以往的半导体装置的领域中，为了抑制在半导体进行动作时产生的温度上升，进行了半导体元件的薄层化等。但是，在半导体装置的小型化推进时，不得不进行半导体元件的面积缩小化，随着半导体元件的特性改善接近极限，半导体模块等的热设计处于更严峻的形势。

近年来，就逆变器等电力变换装置而言，以改良散热性为目的，使用将全桥逆变器与进行短路的开关元件组合后的HERIC(Highly efficient and reliable inverterconcept)电路(例如专利文献1)。专利文献1的逆变器电路通过在HERIC电路的续流部使用钳位元件，从而抑制浪涌电压等过大电压。在专利文献1的逆变器电路中，由于通断时所需的电压为电源电压Vcc的1/2即可，因此期待通断损耗的减小效果。但是，由于在续流时流入逆变器部的电流的影响，在逆变器部的输出端子产生电位变动，在该电位变动大的情况下，传导噪声有可能恶化。

专利文献1：日本特开2017-17842号公报

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于在半导体装置中抑制传导噪声。

本发明的半导体装置具有：逆变器部，其是全桥逆变器；以及续流部，其将逆变器部的输出端子之间短路，逆变器部的各相具有：第1开关元件；以及续流二极管，其与第1开关元件反向并联连接，续流部具有2个由第2开关元件与二极管构成的串联连接体，2个串联连接体以导通方向彼此相反的方式在输出端子之间并联连接，在上桥臂的各续流二极管与输出端子之间、以及下桥臂的各续流二极管与逆变器部的输入端子之间具有阻抗，阻抗比假设仅通过配线将第1开关元件与输出端子或者输入端子连接的情况下的配线的寄生阻抗大。

发明的效果

本发明的半导体装置在上桥臂的各续流二极管与输出端子之间、以及下桥臂的各续流二极管与逆变器部的输入端子之间具有阻抗。因此，在第1开关元件的通断的定时产生了偏差时，抑制了流入逆变器部、流过续流二极管的电流。因此，抑制了输出端子的电位变动，传导噪声减小。

附图说明

图1是表示前提技术的HERIC电路的图。

图2是表示前提技术的HERIC电路中的图6的期间t1的电流路径的图。

图3是表示前提技术的HERIC电路中的图6的期间t2的电流路径的图。

图4是表示前提技术的HERIC电路中的图6的期间t3的电流路径的图。

图5是表示前提技术的HERIC电路中的图6的期间t4的电流路径的图。

图6是表示前提技术的HERIC电路中的第1、4、6相的通断状态与输出端子的电流以及电压之间的关系的图。

图7是实施方式1的半导体装置的电路图。

图8是表示实施方式1的半导体装置中的图9的期间t3的电流路径的图。

图9是表示实施方式1的半导体装置中的第1、4、6相的通断状态与输出端子的电流以及电压之间的关系的图。

图10是实施方式2、3的半导体装置的电路图。