[发明专利]用于同步动态随机存取内存的控制模块及其控制方法在审
申请号: | 202110003129.8 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN114721581A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 张雅闵 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G11C11/406;G11C11/4063 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 胡少青;许媛媛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 同步 动态 随机存取 内存 控制 模块 及其 方法 | ||
1.一种用于一同步动态随机存取内存SDRAM的控制方法,其特征在于,包含:
控制该SDRAM自一总线数据存取模式切换至一动态引脚DPIN操作模式;
于该DPIN模式设定至少一暂存器的数值;以及
根据该至少一暂存器的数值控制该SDRAM。
2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该至少一暂存器包含一第一暂存器,该第一暂存器的数值相应于该SDRAM的绑定指令相关的时钟致能引脚,根据该至少一暂存器的数值控制该SDRAM的步骤还包含:
触发一DPIN操作,以根据该第一暂存器的数值控制该SDRAM。
3.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该至少一暂存器包含一第一暂存器以及一第二暂存器,该第一暂存器的数值相应于该SDRAM的绑定指令相关的时钟致能引脚、重置引脚以及晶粒上终端引脚,该第二暂存器的数值相应于该SDRAM的同步指令相关引脚,根据该至少一暂存器的数值控制该SDRAM的步骤还包含:
触发一DPIN操作,以根据该第一暂存器以及该第二暂存器的数值控制该SDRAM。
4.如权利要求3所述的控制方法,其特征在于,该至少一暂存器还包含一第三暂存器,触发该DPIN操作的步骤还包含:
触发该DPIN操作,以根据该第一暂存器以及该第二暂存器的数值控制该SDRAM,并将该第三暂存器的数值写入至该SDRAM。
5.如权利要求3所述的控制方法,其特征在于,该至少一暂存器还包含一第三暂存器,触发该DPIN操作的步骤还包含:
触发该DPIN操作,以根据该第一暂存器以及该第二暂存器的数值控制该SDRAM,并将自该SDRAM读取的数值储存至该第三暂存器。
6.一种用于一同步动态随机存取内存SDRAM的控制模块,其特征在于,包含:
至少一暂存器,与该SDRAM电性连接;
一控制器,与该SDRAM以及该至少一暂存器电性连接,用以:
控制该SDRAM自一总线数据存取模式切换至一动态引脚DPIN操作模式;
于该DPIN操作模式设定该至少一暂存器的数值;以及
根据该至少一暂存器的数值控制该SDRAM。
7.如权利要求6所述的控制模块,其特征在于,该至少一暂存器包含一第一暂存器以及一第二暂存器,该第一暂存器的数值相应于该SDRAM的绑定指令相关的时钟致能引脚、重置引脚以及晶粒上终端引脚,该第二暂存器的数值相应于该SDRAM的同步指令相关引脚,该控制器还用以:
触发一DPIN操作,根据该第一暂存器以及该第二暂存器的数值控制该SDRAM。
8.如权利要求7所述的控制模块,其特征在于,该至少一暂存器还包含一第三暂存器,该控制器还用以:
触发该DPIN操作,将该第三暂存器的数值写入至该SDRAM。
9.如权利要求7所述的控制模块,其特征在于,该至少一暂存器还包含一第三暂存器,该控制器还用以:
触发该DPIN操作,将自该SDRAM读取的数值储存至该第三暂存器。
10.如权利要求6所述的控制模块,其特征在于,该至少一暂存器包含一第一暂存器以及一第二暂存器,该第一暂存器的数值相应于该SDRAM的绑定指令相关的至少一引脚,该至少一引脚不包含时钟致能引脚、重置引脚以及晶粒上终端引脚,该第二暂存器的数值相应于该SDRAM的同步指令相关引脚,该控制器还用以:
触发一DPIN操作,根据该第二暂存器的数值控制该SDRAM。
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