[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供具有前侧和背侧的结构，所述结构包括具有在前侧上形成的栅极结构、源极结构和漏极结构的全环绕栅极晶体管；

从所述结构的所述背侧选择性地蚀刻所述结构，以形成延伸以暴露所述源极结构的第一沟槽和延伸以暴露所述漏极结构的第二沟槽；

在所述结构的所述背侧上方且在所述第一沟槽和所述第二沟槽内沉积导电层；

图案化所述导电层，以从所述第二沟槽移除所述导电层；

在所述图案化之后，在所述第二沟槽中沉积介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成到所述栅极结构和所述源极结构或所述漏极结构中的至少一个的接触元件，所述接触元件从所述结构的所述前侧延伸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述介电层包括：沉积衬垫层；和在所述衬垫层上方沉积绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述介电层包括：

沉积绝缘材料；

在所述绝缘材料上执行化学机械抛光(CMP)，其中，所述化学机械抛光暴露所述第一沟槽内的所述导电层的表面。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在所述第一沟槽内的所述导电层的所述暴露表面上形成电源轨互连线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述导电层包括沉积粘合层和上覆导电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述从所述结构的所述背侧选择性地蚀刻所述结构以形成延伸以暴露所述源极结构的所述第一沟槽包括蚀刻所述源极结构的外延材料的部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化所述导电层包括：在所述结构的所述背侧上的所述导电层上形成光刻胶部件；和蚀刻不受所述光刻胶部件保护的所述导电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述蚀刻所述导电层包括停止在设置于所述栅极结构与所述结构的所述背侧之间的自对准接触层上的蚀刻工艺。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底的前侧上方形成底层；

形成具有栅极结构、源极部件和漏极部件的晶体管，其中，所述栅极结构覆盖在所述底层上；

从所述衬底的所述前侧向所述源极部件或所述漏极部件中的至少一个提供第一接触结构；以及

从所述衬底的背侧向所述源极部件或所述漏极部件中的另一个提供第二接触结构，其中，所述第二接触结构延伸穿过所述底层中的开口，其中，所述提供第二接触结构包括：

沉积与所述底层接合的导电材料；

图案化所述导电材料，以形成与所述底层的第一区域接合的所述第二接触结构；以及

在所述图案化之后，在所述底层的第二区域上沉积介电层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在提供所述第二接触结构之前，减薄所述衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在减薄所述衬底之后，从所述衬底的所述背侧蚀刻第一沟槽以暴露所述源极部件，且从所述衬底的所述背侧蚀刻第二沟槽以暴露所述漏极部件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述沉积所述导电材料包括在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个中沉积所述导电材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述图案化所述导电材料包括从所述第一沟槽或所述第二沟槽中的一个移除所述导电材料。