[发明专利]位线接触结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种位线接触结构的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：

在形成有字线和保护层的衬底的表面依次设置第一掩膜层、第二掩膜层及光刻胶，图案化所述光刻胶；

利用图案化后的所述光刻胶依次刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，形成贯穿所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的第一开口；

在所述第二掩膜层表面设置牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，形成开口宽度小于所述第一开口的第二开口；

利用所述第二开口在所述保护层表面刻蚀形成相对应的第三开口，并同时去除剩余的所述牺牲层，以暴露出所述第一开口；

利用所述第一开口和所述第三开口刻蚀贯穿所述保护层并在所述衬底表面形成位线接触孔，所述位线接触孔用以形成位线的接触结构，所述位线接触孔包含第一孔部和第二孔部，所述第一孔部开口于所述保护层表面，所述第二孔部的孔径小于所述第一孔部的孔径，并开口于所述第一孔部的底壁。

2.根据权利要求1所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在图案化所述光刻胶的步骤中，是对所述光刻胶进行曝光和显影，以使所述光刻胶形成光刻胶开口图案。

3.根据权利要求2所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第二掩膜层的步骤中，是通过干法刻蚀工艺去除所述第二掩膜层的被所述光刻胶开口图案暴露出的部分。

4.根据权利要求3所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第一掩膜层的步骤中，是通过干法刻蚀工艺去除所述第一掩膜层的被所述光刻胶开口图案和所述第二掩膜层暴露出的部分，并将所述光刻胶去除。

5.根据权利要求1所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在设置所述牺牲层的步骤中，是通过原子层沉积工艺在所述第二掩膜层表面形成所述牺牲层。

6.根据权利要求1所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述保护层的步骤中，是通过自对准刻蚀工艺去除所述牺牲层和部分所述保护层。

7.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在设置所述牺牲层的步骤中，所述第二开口的开口宽度为所述第一开口的开口宽度的30％～70％。

8.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在沿所述位线的延伸方向上，所述位线接触孔的孔径大于相邻两个所述字线之间的距离。

9.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，在沿所述字线的延伸方向上，所述位线接触孔的孔径大于有源区的宽度。

10.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述位线接触孔在沿所述位线延伸方向上的两侧侧壁，分别由所述位线接触孔两侧的浅沟槽隔离界定。

11.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材质包含Si₃N₄、SiO₂的至少其中之一。

12.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层包含抗反射涂层。

13.根据权利要求1～6任一项所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材质包含Si₃N₄、SiO₂的至少其中之一。

14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包含衬底，所述衬底表面形成有位线接触结构，所述位线接触结构包含位线接触孔，所述位线接触孔包含第一孔部和第二孔部，所述第一孔部开口于所述衬底表面，所述第二孔部的孔径小于所述第一孔部的孔径，并开口于所述第一孔部的底壁。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第二孔部的孔径为所述第一孔部的孔径的30％～70％。