[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，其上交替且并列设置有第一字线沟槽和第二字线沟槽；

第一字线，设于所述第一字线沟槽内；

第二字线，设于所述第二字线沟槽内；

其中，所述第一字线沟槽的宽度大于所述第二字线沟槽的宽度，且所述第一字线沟槽的深度小于所述第二字线沟槽的深度，以使所述第一字线的宽度大于所述第二字线的宽度，所述第一字线的高度小于所述第二字线的高度，且所述第一字线的阈值电压大于所述第二字线的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底包括：

多个有源区，呈阵列排布；

多个源极和多个漏极，设于所述有源区之上，部分所述源极和所述漏极分别位于所述第一字线沟槽两侧，部分所述源极和所述漏极位于所述第二字线沟槽两侧。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一字线包括：

第一栅间介质层，设于所述第一字线沟槽的槽壁，所述第一栅间介质层上设置有与所述第一字线沟槽相适配的第一凹槽；

第一导电层，设于所述第一凹槽内；

第二导电层，设于所述第一导电层之上；

第一绝缘层，设于所述第二导电层之上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二字线包括：

第二栅间介质层，设于所述第二字线沟槽的槽壁，所述第二栅间介质层上设置有与所述第二字线沟槽相适配的第三凹槽；

第三导电层，设于所述第三凹槽内；

第四导电层，设于所述第三导电层之上；

第二绝缘层，设于所述第四导电层之上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电层在参考平面上的正投影与所述源极或所述漏极在参考平面上的正投影的交叠区域小于所述第四导电层在参考平面上的正投影与所述源极或所述漏极在参考平面上的正投影的交叠区，所述参考平面与所述第一字线沟槽和所述第二字线沟槽的延伸方向平行，且与所述衬底垂直。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电层的上表面与所述源极或所述漏极的下表面共面，所述第四导电层的上表面高于所述源极或所述漏极的下表面。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅间介质层的厚度大于所述第二栅间介质层的厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅间介质层的介电常数等于或大于所述第一栅间介质层的介电常数。

9.一种存储装置，其特征在于，包括：权利要求1～8任意一项所述的半导体器件。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成一衬底，并在所述衬底上形成交替且并列设置的第一字线沟槽和第二字线沟槽；

在所述第一字线沟槽内形成第一字线，且在所述第二字线沟槽内形成第二字线；

其中，所述第一字线沟槽的宽度大于所述第二字线沟槽，且所述第一字线沟槽的深度小于所述第二字线沟槽的深度，以使所述第一字线的宽度大于所述第二字线的宽度，所述第一字线的高度小于所述第二字线的高度，且所述第一字线的阈值电压大于所述第二字线的阈值电压。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成一衬底包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成多个有源区。