[发明专利]晶圆传送装置及晶圆传送方法有效
申请号: | 202110006974.0 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN112838037B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 许嘉祐;申世泓;颜炎;涂伟峰;黄政贤 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/68 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 装置 方法 | ||
本发明涉及一种晶圆传送装置及晶圆传送方法。所述晶圆传送装置包括:承载结构,包括用于承载晶圆的承载面、以及位于所述承载面上的夹持部,所述夹持部用于夹持所述晶圆;推动结构,包括沿平行于所述承载面的方向分布的至少两个推动部,所述夹持部与所述推动结构分布于所述承载面上的相对两端,至少两个所述推动部能够同时推动所述晶圆,使得所述晶圆沿所述承载面上的径线方向朝向所述夹持部移动。本发明减少甚至是避免了因晶圆在所述传送装置上的位置偏移导致的晶圆破片或机台停机问题,使得传送过程顺利进行,提高了半导体制造的效率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆传送装置及晶圆传送方法。
背景技术
随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本,各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生,例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
其中,3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点,将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念,生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器,已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
在3D NAND存储器等半导体结构的制程过程中,经常需要在不同处理机台之间进行晶圆的转移传送,通常通过机械手臂完成晶圆的传送。但是,当前在采用机械手臂传送晶圆的过程中,经常会出现因晶圆在机械手臂上的位置偏离预设位置而导致的晶圆掉落,或者因晶圆在机械手臂上的位置偏离预设位置而导致不能准确的传送至处理机台中的处理位置。这些都有可能造成晶圆破片或者机台停机,从而不仅影响制程工序的正常进行,而且还会导致制程成本的升高。
因此,如何避免晶圆在传送过程中的位置发生偏离,使得传送过程顺利进行,从而确保制程工序的顺利进行。
发明内容
本发明提供一种晶圆传送装置及晶圆传送方法,用于解决现有技术在传送晶圆的过程中易出现晶圆位置偏离的问题,以使得传送过程顺利进行,从而确保制程工序的顺利进行。
为了解决上述问题,本发明提供了一种晶圆传送装置,包括:
承载结构,包括用于承载晶圆的承载面、以及位于所述承载面上的夹持部,所述夹持部用于夹持所述晶圆;
推动结构,包括沿平行于所述承载面的方向分布的至少两个推动部,所述夹持部与所述推动结构分布于所述承载面上的相对两端,至少两个所述推动部能够同时推动所述晶圆,使得所述晶圆沿所述承载面上的径线方向朝向所述夹持部移动。
可选的,所述承载结构还包括:
作为所述承载面的下台面;
位于所述下台面上的支撑部,所述支撑部与所述夹持部用于共同承载所述晶圆;
凸设于所述下台面上的上台面,所述上台面与所述夹持部分布于所述支撑部的相对两侧。
可选的,所述支撑部包括支撑基座以及位于所述支撑基座表面的导向板;
所述夹持部包括夹持基座以及位于所述夹持基座上的夹具;
所述支撑基座和所述夹持基座用于共同承载所述晶圆。
可选的,所述推动结构还包括:
推杆,至少部分置于所述上台面,所述推杆包括相对分布的第一端部和第二端部,所有的所述推动部连接于所述推杆的所述第一端部,所述推杆能够沿所述径线方向运动。
可选的,所述推动部的数量为两个,且两个所述推动部呈Y型连接于所述推杆的所述第一端部。
可选的,所述推动部包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造