[发明专利]用于半导体用石英板的抛光上盘装置及抛光上盘方法有效

专利信息
申请号: 202110007478.7 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN112847101B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 单佩;陈佳骅 申请(专利权)人: 上海菲利华石创科技有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B41/00;B24B41/06;B24B1/00;F28C3/00
代理公司: 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 代理人: 达晓玲
地址: 201801 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 石英 抛光 上盘 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于半导体用石英板的抛光上盘装置,包括底座,其特征在于,所述底座上设有水平移动机构,所述水平移动机构上分别设有高温恒温水箱和低温恒温水箱,所述水平移动机构带动所述高温恒温水箱和所述低温恒温水箱做水平移动;

还包括升降篮,所述升降篮内底面上设置有用于放置石英底板的升降篮卡槽,所述升降篮通过升降气缸安装在所述高温恒温水箱和所述低温恒温水箱上方,所述升降气缸带动所述升降篮做升降运动;

所述升降篮内设有加压提篮,所述加压提篮通过加压气缸安装在所述升降篮顶部的内壁上,所述加压气缸装有压力调节装置,所述加压气缸带动所述加压提篮做升降运动;

所述加压提篮内底面设有加压卡槽,所述加压卡槽上卡接吸盘装置,所述吸盘装置的底面穿过所述加压卡槽后位于所述升降篮内底面上方,所述吸盘装置的底面用于吸住半导体用石英板。

2.如权利要求1所述的用于半导体用石英板的抛光上盘装置,其特征在于,所述底板上还设有两组净化装置,每组所述净化装置均包括待净化水池、RO反渗透净水器、热交换器、第一潜水泵和第二潜水泵,所述第一潜水泵与所述热交换器中的一组热交换管入口连接、所述热交换器中的一组热交换管出口连接所述待净化水池,所述待净化水池通过所述第二潜水泵连接RO反渗透净水器的入口,所述RO反渗透净水器的出口连接所述热交换器中的另一组热交换管入口;

一组所述净化装置中的第一潜水泵连接所述高温恒温水箱,一组所述净化装置中的所述热交换器中的另一组热交换管出口连接所述高温恒温水箱;

另一组所述净化装置中的第一潜水泵连接所述低温恒温水箱,另一组所述净化装置中的所述交换器中的另一组热交换管出口连接所述低温恒温水箱。

3.如权利要求1所述的用于半导体用石英板的抛光上盘装置,其特征在于,所述水平移动机构包括固定在所述底座上的导轨和推力气缸,所述高温恒温水箱和所述低温恒温水箱的底部滑动连接所述导轨,所述推力气缸的伸缩杆分别连接所述高温恒温水箱的底部、所述低温恒温水箱的底部,所述推力气缸的伸缩杆伸缩带动所述高温恒温水箱和所述低温恒温水箱在所述导轨上水平滑动运动。

4.如权利要求1所述的用于半导体用石英板的抛光上盘装置,其特征在于,所述吸盘装置包括纵截面为倒T字型的吸盘外壳,所述吸盘外壳的竖段为中空圆柱形结构,所述吸盘外壳的横段为底面敞开的圆盘结构,所述吸盘外壳横段内设圆盘状的吸盘面,所述吸盘面底面与所述吸盘外壳的横段底面齐平,所述吸盘面上排列设置多个吸盘气缸,每个所述吸盘气缸中安装有气缸活塞,每个所述气缸活塞与按压柄轴连接,所述按压柄轴内置在所述吸盘外壳中且穿过所述吸盘外壳的竖段伸出于所述吸盘外壳顶部;

所述吸盘外壳的竖段外和所述按压柄轴的伸出部分外套设有圆环状手柄,所述手柄内壁上设有一圈限位凸起,所述按压柄轴的伸出部分上外表面设有一圈限位凸缘,所述按压柄轴的伸出部分外表面缠绕有压力弹簧,所述压力弹簧位于所述吸盘外壳的竖段顶部和所述限位凸缘之间,所述按压柄轴的限位凸缘限制在所述限位凸起下方;

所述吸盘外壳的竖段外表面还设有用于卡接所述加压卡槽的卡接结构。

5.如权利要求4所述的用于半导体用石英板的抛光上盘装置,其特征在于,所述手柄的内壁上从下至上设有内螺纹,所述吸盘外壳的竖段外表面、所述按压柄轴的伸出部分外表面分别设有与所述内螺纹螺纹连接的外螺纹。

6.如权利要求4所述的用于半导体用石英板的抛光上盘装置,其特征在于,所述吸盘外壳的竖段外表面设有一圈第一凸缘,所述第一凸缘顶部设有一圈第二凸缘,所述第一凸缘的底面连接所述吸盘外壳的横段,所述第二凸缘上方为所述手柄;

所述第二凸缘的圆周表面设置至少一个用于卡接所述加压卡槽的凸起,所述加压卡槽包括上下联通的圆形的加压通槽,所述加压通槽的内壁圆周表面向外挖设有至少一个加压卡口,所述加压卡口的长宽大于所述凸起的长宽,所述第二凸缘的直径小于所述加压通槽的直径,所述吸盘外壳的横段外径大于所述加压通槽的直径;

所述第一凸缘、所述第二凸缘和所述凸起形成所述卡接结构;

所述吸盘外壳的横段顶面到所述第二凸缘的底面距离大于所述加压卡槽厚度。

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