[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202110008290.4 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN112802879B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
平坦层,设置于所述阵列基板上,其远离所述阵列基板的一侧的表面设有若干个间隔设置的凹槽;
若干个阳极单元,设置于所述平坦层上,并且延伸覆盖于所述凹槽的侧壁上;以及
若干个像素阻隔单元,填充于所述凹槽内,并且延伸覆盖所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦层上的阳极单元;
所述像素阻隔单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第一表面;
所述阳极单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第二表面;
通过调节所述凹槽的容积,减薄所述第一表面与所述第二表面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一表面与所述凹槽底面之间的距离范围为1um-1.3um。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一表面与所述第二表面之间的距离小于1um。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦层的厚度范围为4um-6um。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的形状包括弧形、矩形及梯形中的一种或多种。
6.一种权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上制备平坦层;
在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽;
在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元;以及
在所述凹槽内制备像素阻隔单元,所述像素阻隔单元覆盖至所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦层上的阳极单元;
所述像素阻隔单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第一表面;
所述阳极单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第二表面;
通过调节所述凹槽的容积,减薄所述第一表面与所述第二表面之间的距离。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽的制备步骤中,具体包括如下步骤:
通过半色调掩膜工艺对所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面进行刻蚀,形成所述若干个凹槽。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元的步骤中,具体包括如下步骤:
在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面及所述凹槽内制备一层阳极单元材料;以及
通过黄光工艺对所述阳极单元材料进行曝光、显影,去除位于所述凹槽底面的阳极单元材料,形成所述若干个阳极单元。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述凹槽内制备像素阻隔单元的制备步骤中,具体包括如下步骤:
在所述凹槽内及所述阳极单元上涂布一层像素阻隔单元材料;以及
通过黄光工艺部分去除所述平坦层上方的所述像素阻隔单元材料,形成所述若干个像素阻隔单元。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的