[发明专利]一种处理半导体激光器的方法在审
| 申请号： | 202110008867.1 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114724937A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 单小婷;赵发展;孙昀;王磊;李博;高见头;罗家俊;滕瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 处理 半导体激光器 方法 | ||
1.一种处理半导体激光器的方法，其特征在于，包括：
在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用预设辐照源对半导体激光器进行粒子辐照处理之前，还包括：
根据所述半导体激光器的结构以及所述预设辐照源的粒子类型，调整所述预设辐照源的辐照注量。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：
在所述半导体激光器封装完成之后，利用预设辐照源对所封装的半导体激光器进行辐照处理。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：
在对所述半导体激光器进行封装之前，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：
在生长完量子阱之后，且在生长上分布式布拉格反射镜之前的阶段，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用预设辐照源对半导体激光器进行粒子辐照处理，包括：
通过所述辐照源发出的粒子束，按照预设辐照方向均匀覆盖在所述半导体激光器上，对所述半导体激光器进行辐照处理。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设辐照方向与所述半导体激光器法线方向的夹角小于90度。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设辐照源为重离子辐照源。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体激光器为垂直腔面发射激光器，所述辐照源为钽离子，辐照能量范围为一百万电子伏特到十亿电子伏特，辐照注量范围在0～1×108离子/cm2。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器为通信波长850nm，小信号调制带宽为10GHz的砷化镓基垂直腔面发射激光器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
