[发明专利]一种处理半导体激光器的方法

说明书

本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种处理半导体激光器的方法。

背景技术

半导体激光器是以半导体材料为工作物质的激光器，其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。

调制带宽作为半导体激光器的重要动态工作参数，直接影响了器件的数据传输能力。而在实际应用中，半导体激光器的高速调制特性将受限于其内部响应特性和外部寄生响应。随着信息时代的发展，光通信领域对带宽容量和数据传输速率提出了更高的要求，因此，迫切需要改善半导体激光器的调制带宽，进一步提高数据传输速率。

为提高半导体激光器的调制带宽，现有的研究方向采用了优化器件结构和制造工艺的优化，使器件寄生电容的降低或者是光子寿命的优化等技术。但仍存在具体实施过程较为复杂，工艺成本较高，且容易导致器件的其他性能受损等问题。

发明内容

本申请实施例通过提供一种处理半导体激光器的方法，通过对半导体激光器进行辐照改性，实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。

本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案：

一种处理半导体激光器的方法，包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。

优选地，所述利用预设辐照源对半导体激光器进行粒子辐照处理之前，还包括：根据所述半导体激光器的结构以及所述预设辐照源的粒子类型，调整所述预设辐照源的辐照注量。

优选地，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：在所述半导体激光器封装完成之后，利用预设辐照源对所封装的半导体激光器进行辐照处理。

优选地，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：在所述半导体激光器进行封装之前，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理。

优选地，所述在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，包括：在生长完量子阱之后，且在生长上分布式布拉格反射镜之前的阶段，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理。

优选地，所述利用预设辐照源对半导体激光器进行粒子辐照处理，包括：通过所述辐照源发出的射线，按照预设辐照方向均匀覆盖在所述半导体激光器上，对所述半导体激光器进行辐照处理。

优选地，所述预设辐照方向与所述半导体激光器法线方向的夹角小于90度。

优选地，所述预设辐照源为重离子辐照源。

优选地，所述半导体激光器为垂直腔面发射激光器，所述辐照源为钽离子，辐照能量范围为一百万电子伏特到十亿电子伏特，辐照注量范围在0～1×10⁸离子/cm²。

优选地，所述垂直腔面发射激光器为通信波长850nm，小信号调制带宽为10GHz的砷化镓基垂直腔面发射激光器。