[发明专利]LED发光阵列及其制备方法在审
申请号: | 202110009057.8 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN112768589A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 刘召军;劳兴超;莫炜静;刘斌芝 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L27/15 |
代理公司: | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人: | 孙凯乐 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 发光 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED发光阵列,其特征在于,包括LED阵列芯片、设置在所述LED阵列芯片上的荧光粉层、间隔设置在所述荧光粉层上的多个遮光结构以及设置在所述荧光粉层和所述遮光结构上的保护层;
所述LED阵列芯片包括间隔设置的多个LED光源,所述遮光结构在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间。
2.根据权利要求1所述的LED发光阵列,其特征在于,所述LED阵列芯片为Mini-LED阵列芯片或Micro-LED阵列芯片。
3.根据权利要求1所述的LED发光阵列,其特征在于,所述荧光粉层的材料为白光荧光粉;
所述LED阵列芯片为绿光LED阵列芯片、蓝光LED阵列芯片、紫光LED阵列芯片或紫外光LED阵列芯片。
4.根据权利要求1所述的LED发光阵列,其特征在于,所述遮光结构的材料为光刻胶。
5.根据权利要求4所述的LED发光阵列,其特征在于,所述遮光结构的材料为黑色光刻胶。
6.根据权利要求1、4或5所述的LED发光阵列,其特征在于,所述遮光结构为栅格状、条状或块状。
7.根据权利要求1所述的LED发光阵列,其特征在于,所述保护层的材料为有机硅胶。
8.一种如权利要求1~7中任意一项所述的LED发光阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在LED阵列芯片上形成荧光粉层,其中,所述LED阵列芯片包括间隔设置的多个LED光源;
在所述荧光粉层上形成多个间隔设置的遮光结构,其中,所述遮光结构在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间;以及
在所述荧光粉层和所述遮光结构上形成保护层。
9.根据权利要求8所述的LED发光阵列的制备方法,其特征在于,所述遮光结构的材料为光刻胶,所述在所述荧光粉层上形成多个间隔设置的遮光结构的操作为:
在所述荧光粉层上形成光刻胶层;
在所述光刻胶层上盖上掩膜板,做曝光处理,其中,所述掩膜板上交替设有透光区和不透光区,所述不透光区在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间;以及
通过显影液清洗曝光后的所述光刻胶层,从而使得对应所述不透光区的光刻胶保留,形成所述遮光结构。
10.根据权利要求8所述的LED发光阵列的制备方法,其特征在于,所述遮光结构的材料为光刻胶,所述在所述荧光粉层上形成多个间隔设置的遮光结构的操作为:
在所述荧光粉层上形成光刻胶层;
在所述光刻胶层上盖上掩膜板,做曝光处理,其中,所述掩膜板上交替设有透光区和不透光区,所述透光区在所述LED阵列芯片上的投影落在相邻的两个所述LED光源之间;以及
通过显影液清洗曝光后的所述光刻胶层,从而使得对应所述透光区的光刻胶保留,形成所述遮光结构。
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