[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区上形成有第一栅绝缘层及覆盖部分所述第一栅绝缘层的第一栅极，所述低压器件区上形成有第二栅绝缘层及覆盖部分所述第二栅绝缘层的第二栅极，其中，所述第一栅绝缘层的厚度大于所述第二栅绝缘层的厚度；

形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述第一栅极、所述第二栅极、所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层；

测量所述第一栅绝缘层与位于所述第一栅绝缘层上的所述侧墙层两者的总厚度，以得到第一厚度，并测量所述第二栅绝缘层与位于所述第二栅绝缘层上的所述侧墙层两者的总厚度，以得到第二厚度；

执行第一刻蚀工艺，去除所述第一栅极的顶面的所述侧墙层、所述第二栅极的顶面的所述侧墙层、所述第一栅绝缘层上的所述侧墙层及所述第二栅绝缘层上的所述侧墙层，并去除所述二栅绝缘层及部分厚度的所述第一栅绝缘层；

获取所述第一刻蚀工艺的刻蚀时间，并根据所述第一刻蚀工艺的刻蚀时间及所述第二厚度得到刻蚀速率；

提供所述第一栅绝缘层的目标厚度；

比较剩余的所述第一栅绝缘层的厚度与所述第一栅绝缘层的目标厚度的大小，并根据比较结果确定剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度；

根据所述刻蚀速率及剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度得到第二刻蚀工艺的刻蚀时间，并通过得到的所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间执行第二刻蚀工艺，刻蚀所述第一栅绝缘层，以使剩余的所述第一栅绝缘层的厚度减至所述目标厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，得到所述刻蚀速率的方法包括：得到所述第二厚度与所述第一刻蚀工艺的刻蚀时间的比值，以得到所述刻蚀速率。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，确定剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度的方法包括：

计算所述第一厚度与所述第二厚度的差值，以得到第一差值厚度；以及

计算所述第一差值厚度与所述目标厚度的差值，以得到第二差值厚度，所述第二差值厚度作为剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在确定剩余的所述第一栅绝缘层中需去除的部分的厚度之后，在得到所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间之前，所述半导体器件的形成方法还包括：

提供一刻蚀参数数据库，所述刻蚀参数数据库包括相同的刻蚀工艺条件下，多个不同厚度的栅绝缘层对应的实际刻蚀时间，以及所述多个不同厚度的栅绝缘层对应的计算刻蚀时间，其中，所述实际刻蚀时间小于所述计算刻蚀时间；

计算每个厚度的所述栅绝缘层对应的计算刻蚀时间与实际刻蚀时间之间的差值，以得到多个刻蚀时间差值；以及

得到所述多个刻蚀时间差值的平均值，以得到一误差时间。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，得到所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间的方法包括：

计算所述第二差值厚度与所述刻蚀速率的比值，以得到第一刻蚀时间；

计算所述第一刻蚀时间与所述误差时间的差值，以得到第二刻蚀时间，所述第二刻蚀时间作为所述第二刻蚀工艺的刻蚀时间。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺均为各向异性干法刻蚀，并且所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺的所述刻蚀工艺条件相同。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺条件相同包括:刻蚀工艺的气体及流量均相同、刻蚀的温度相同以及刻蚀的压强相同。