[发明专利]核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质

说明书

本公开提供了一种核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质。其中，该核反应导致的SEE截面的获取方法，应用于微电子器件的核反应导致的单粒子效应的检测，其中，包括：获取次级粒子LET谱；获取重离子SEE截面；以及根据次级粒子LET谱和重离子SEE截面获取核反应导致的SEE截面。因此，本公开实施例的核反应导致的SEE截面的获取方法可以实现通过重离子SEE截面预估核反应导致的SEE截面的理论预测，不仅适用于质子、中子等与硅核反应起主导作用的较低LET阈值器件，同时也适用于与高Z材料核反应起主导作用的高LET阈值器件等一般情形，解决了传统BGR方法无法针对高LET阈值器件，获取精确的核反应导致的SEE截面的技术问题。

技术领域

本公开涉及计算机技术领域，尤其涉及一种核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质。

背景技术

由于空间辐射环境引起的微电子器件单粒子效应(Single Event Effect，简称SEE)是航天器工作异常和故障的重要原因之一，因此在航天航空领域中应用的微电子器件必须经过单粒子效应试验的考核。

现有技术中针对重离子单粒子效应的试验，通常基于BGR(Burst GenerationRate)方法实现重离子SEE截面和错误率的获取。BGR方法的基础是假定质子与敏感区发生反应，而敏感区是由硅构成的，故BGR方法不能预测质子与高Z材料之间的核反应所针对SEE截面的贡献。具体地，由于质子与高Z材料核反应产生的次级粒子的LET值更高，故针对高LET阈值器件的SEE试验中，质子与高Z材料之间的核反应往往会起主导作用，使得现有的BGR方法不能对高LET阈值器件的SEE截面进行预测。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为解决现有技术中，传统的SEE截面预测方法无法针对高LET阈值器件，获取精确的质子SEE截面的技术问题，本公开提供了一种核反应导致的SEE截面的获取方法、装置、设备及介质。

(二)技术方案

本公开的一方面提供了一种核反应导致的SEE截面的获取方法，应用于微电子器件的核反应导致的单粒子效应的检测，其中，包括：获取次级粒子LET谱；获取重离子SEE截面；以及根据次级粒子LET谱和重离子SEE截面获取核反应导致的SEE截面。

根据本公开的实施例，根据次级粒子LET谱和重离子SEE截面获取核反应导致的SEE截面，包括：获取第一SEE截面；获取第二SEE截面；根据第一SEE截面和第二SEE截面获取核反应导致的SEE截面；其中，第一SEE截面为对应于第一材料核反应的核反应导致的SEE截面，第二SEE截面为对应于第二材料中多种材料核反应的核反应导致的SEE截面之和。

根据本公开的实施例，获取第一SEE截面，包括：根据次级粒子LET谱，获取第一材料的核反应对应的第一注量参数；根据重离子SEE截面和第一注量参数，确定对应预设截面规则的第一SEE发生次数；根据第一SEE发生次数，获取第一SEE截面。

根据本公开的实施例，获取第二SEE截面，包括：根据次级粒子LET谱，获取第二材料的核反应对应的第二注量参数；根据重离子SEE截面和第二注量参数，确定对应预设截面规则的第二SEE发生次数；根据第二SEE发生次数，获取第二SEE截面。

根据本公开的实施例，根据第一SEE截面和第二SEE截面获取核反应导致的SEE截面，包括：对第一SEE截面和第二SEE截面进行求和，获取核反应导致的SEE截面。

根据本公开的实施例，第一材料为硅；第二材料包括钨、铜、钛和铝中的至少一种。

根据本公开的实施例，获取次级粒子LET谱，包括：通过粒子输运模拟规则，确定与第一材料对应的次级粒子LET谱。