[发明专利]一种光电二极管

说明书

本发明公开了一种光电二极管，包括N电极、N型衬底、反射层、感光层、P型层和P电极，N型衬底具有顶面、底面和供光入射的侧面，在侧面开口形成第一入射面和台面，台面低于顶面并且外凸于顶面，顶面、第一入射面和台面形成Z字形，第一入射面和台面形成的夹角为θ，0＜θ＜90°，感光层、P型层和P电极依次层叠在顶面上，反射层层叠在台面上，N电极覆盖底面。本发明不但解决了侧入射MPD底部朝向激光利用率低的问题，而且提高了侧入射MPD的响应度。

技术领域

本发明涉及半导体激光器的技术领域，特指一种光电二极管。

背景技术

背光监控PD也称为MPD，是激光器组件的重要组成部分。目前绝大多部分的TO（Transistor Outline，是一种晶体管封装，旨在使引线能够被成型加工并用于表面贴装）采取垂直封装的形式，MPD为正入射结构。正入射MPD虽然技术成熟，应用面广，但也存在明显的弊端。垂直封装形式增大了TO的尺寸，MPD需要垫片，增加了封装成本。随着光通讯技术的不断发展，小型化TO器件，以及COB封装已成为了市场主流发展方向。

为了解决垂直封装的问题，一些企业推出了侧入射MPD。如图1所示，边发射激光器的光（即为入射光）直接从由衬底的侧面（即为入射面）入射，但是，仅能有一半顶部朝向（角度朝上）的入射光，能够有机会入射到传统的侧入射MPD的感光层，可以获得有效的出光，另一半底部朝向（角度朝下）的入射光将无法入射到感光层出光，因此，从侧面直接入射的MPD耦合效率差，影响其响应度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种光电二极管，不但解决了侧入射MPD底部朝向激光利用率低的问题，而且提高了侧入射MPD的响应度。

为解决上述技术问题，本发明的技术解决方案是：

一种光电二极管，包括N电极、N型衬底、反射层、感光层、P型层和P电极，N型衬底具有顶面、底面和供光入射的侧面，在侧面开口形成第一入射面和台面，台面低于顶面并且外凸于顶面，顶面、第一入射面和台面形成Z字形，第一入射面和台面形成的夹角为θ，0＜θ＜90°，感光层、P型层和P电极依次层叠在顶面上，反射层层叠在台面上，N电极覆盖底面。

进一步，反射层的材料为Au或者Ag。

进一步，反射层的厚度为50nm。

进一步，N型衬底的材料为InP或者GaAs。

进一步，θ为30°。

进一步，台面到顶面的垂直距离≥2μm。

进一步，N型衬底还具有第二入射面，第二入射面位于侧面上并与开口相连。

进一步，台面与顶面平行。

本发明利用台面上反射层的反射作用不但可以解决底部朝向激光利用率低的问题，而且利用第一入射面的折射效果，不但可以改变光的传输方向，提高器件的响应度，而且也有利于减小芯片尺寸。

附图说明

图1是现有技术光入射路径示意图；

图2是本发明的结构示意图；

图3是本发明实施例一光入射路径的示意图一；

图4是本发明实施例一光入射路径的示意图二；

图5是本发明实施例二光入射路径的示意图。

标号说明

P电极1 P型层2 感光层3 N型衬底4

顶面41 底面42 第一入射面43 台面44

第二入射面45 N电极5 反射层6。

具体实施方式