[发明专利]一种阻变存储器的故障测试方法

说明书

本发明涉及新型存储芯片RRAM测试技术领域，具体涉及一种阻变存储器的故障测试方法，该方法首先扫描所有的存储单元，检测出所有的故障存储单元，并标记为一级故障类型，然后依次扫描一级故障类型里的故障存储单元，标记为二级故障类型，最后输出所有存储单元故障类型一览表。本发明可以检测出阻变存储器存储单元的主要故障类型，且检测时间短，检测故障类型准确可靠，降低了阻变存储器检测故障的错判率，提高了阻变存储器的故障测试效率。

技术领域

本发明涉及新型存储芯片RRAM测试技术领域，具体涉及一种阻变存储器的故障测试方法。

背景技术

阻变存储器作为一种新型的存储器，具备存储密度高、功耗低、读写速度快、数据保持时间长的特点，具有很大的应用前景和研究价值。基于阻变存储器的故障测试方法也是目前研究工作的重点，阻变存储器存储单元的故障类型主要包括自身存储故障和耦合存储故障两种。随着阻变存储单元数目的增加，存储器故障测试的时间也成倍的增加，严重影响了阻变存储器的研发和生产的效率。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明设计了一种阻变存储器的故障测试方法，其具体技术方案如下。

一种阻变存储器的故障测试方法，包括如下步骤：

S1：扫描阻变存储器所有的存储单元，检测出所有的故障存储单元，标记一级故障类型为自身故障类型或耦合故障类型；

S2：扫描一级故障类型为自身故障类型的故障存储单元，标记为二级自身故障类型；

S3：扫描一级故障类型为耦合故障类型的故障存储单元，标记为二级耦合故障类型；

S4：输出所有的存储单元故障类型一览表，即输出标记阻变存储器中每个故障存储单元的故障类型。

进一步的，所述步骤S1具体包括：将所有的存储单元写入BIT1，重复执行2次或2次以上，选中其中的第一个存储单元后写入BIT0，并读取选中存储单元所在行的所有存储单元的阻值；分别判断选中的存储单元和其他存储单元的阻值是否为BIT0，若不是BIT0，则分别标记一级故障类型为自身故障类型和耦合故障类型；往复操作，执行完所有的存储单元；

将所有的存储单元写入BIT0，重复执行2次或2次以上，选中其中的第一个存储单元后写入BIT1，并读取选中存储单元所在行的所有存储单元的阻值，且选中的存储单元重复读取2次；

分别判断选中的存储单元和其他存储单元的阻值是否为BIT1，若不是BIT1，则标记一级故障类型为自身故障类型和耦合故障类型；往复操作，执行完所有的存储单元；

其中，所述BIT0对应阻变存储单元阻值为低阻态，BIT1对应阻变存储单元阻值为高阻态，阻变存储器的存储单元通过译码器电路来选中。

进一步的，所述步骤S2的二级自身故障类型包括固定故障类型SA0、SA1，状态转换故障类型TF0、TF1，读值故障类型R1D。