[发明专利]一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置

权利要求书

1.一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，包括磁场测试组件和压接组件；

所述压接组件压接被测半导体芯片；

所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定；

所述磁场测试组件包括驱动装置、从动装置以及磁场强度测定件；

所述磁场强度测定件设置在所述从动装置的底端；

所述从动装置的底端靠近被测半导体芯片的外围设置；

所述驱动装置与所述从动装置连接；

所述从动装置包括第一转盘、第二转盘和转盘连接件；

所述第一转盘设于第二转盘上方；

所述第二转盘靠近被测半导体芯片的外围设置；

所述磁场强度测定件设置在所述第二转盘上；

所述驱动装置与第一转盘连接，所述第一转盘和第二转盘之间采用所述转盘连接件连接；

所述第一转盘上开设第一螺纹孔，所述第二转盘上开设第二螺纹孔；

所述转盘连接件采用连接螺杆；

所述连接螺杆的顶端与所述第一螺纹孔螺纹连接；

所述连接螺杆的底端与所述第二螺纹孔螺纹连接；

所述磁场强度测定件采用多个；

多个所述磁场强度测定件沿第二转盘的顶面间隔排布设置；

所述压接组件包括支撑架；

所述支撑架包括支撑底板、支撑顶板和多个支撑杆，

所述支撑顶板上放置所述驱动装置；

所述支撑底板上开设盲孔；

所述支撑顶板上开设通孔；

多个所述支撑杆的底端与所述盲孔固定连接；

多个所述支撑杆的顶端与所述通孔固定连接；

所述第二转盘上开设多个弧形槽孔，弧形槽孔的数目与所述支撑杆的数目对应；

所述支撑杆的杆身对应贯穿弧形槽孔。

2.根据权利要求1所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括金属导体、接触电极；

所述金属导体包括第一金属导体和第二金属导体，所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极；

所述支撑架的顶端放置所述驱动装置；

所述支撑架内放置被测半导体芯片；

所述被测半导体芯片的顶面从下到上依次接触第一金属导体、第一接触电极；

所述被测半导体芯片的底面从上到下依次接触第二金属导体、第二接触电极。

3.根据权利要求2所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括散热器，所述散热器包括第一散热器和第二散热器；

所述第一散热器的底端与所述被测半导体芯片的顶面接触，所述第一散热器的顶端与所述第一金属导体底端接触；

所述第二散热器的顶端与所述被测半导体芯片的底面接触，所述第二散热器的底端与所述第二金属导体的顶端接触。

4.根据权利要求2所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括引出铜排，所述引出铜排包括第一引出铜排和第二引出铜排；

所述第一引出铜排与所述第一接触电极连接；

所述第二引出铜排与所述第二接触电极连接。

5.根据权利要求2所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括均压台，所述均压台包括第一均压台和第二均压台；

所述第一均压台的底端接触所述第一接触电极，所述第一均压台的顶端接触支撑顶板；

所述第二均压台的底端接触所述支撑底板，所述第二均压台的顶端接触所述第二接触电极。

6.根据权利要求5所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括均压板和均压球；

所述均压球设在所述第一均压台的上方，均压球的顶端接触所述均压板的底端，均压球的底端接触所述第一均压台的顶端；

所述均压板的顶端接触所述支撑顶板。

7.根据权利要求3所述的用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，其特征在于，所述压接组件还包括散热水管，所述散热水管与所述第二散热器连接。