[发明专利]一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置

说明书

本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。

技术领域

本发明涉及功率半导体器件测试领域，具体涉及一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置。

背景技术

随着可再生能源和直流电网的快速发展，基于大功率压接式半导体的功率变换技术以及电流开断技术得到深入研究和应用，作为核心元件，大功率压接式半导体的电流和电压等级是最重要的应用指标，一般来讲，大功率压接式半导体通常为整晶圆的多元胞并联或者从晶圆切割下来的多个独立芯片并联使用，因此在器件稳态通流以及瞬态关断时可能会出现电流不均衡的情况导致器件失效，同时器件在失效后维持长期短路通流过程中由于失效点不确定也会引发电流密度不均衡，从而造成器件热不平衡，引发器件短路状态不稳定，对电网的正常运行造成较大干扰，但是现有的大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，一般方法难以探测到内部的电流密度分布情况，这对于器件失效机理的研究和优化造成了较大的阻碍。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。

本发明通过如下技术方案实现：

本发明的一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；

所述压接组件压接被测半导体芯片；

所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定。

进一步的，所述磁场测试组件包括驱动装置、从动装置以及磁场强度测定件；

所述磁场强度测定件设置在所述从动装置的底端；

所述从动装置的底端靠近被测半导体芯片的外围设置；

所述驱动装置与所述从动装置连接。

进一步的，所述从动装置包括第一转盘、第二转盘和转盘连接件；

所述第一转盘设于第二转盘上方；

所述第二转盘靠近被测半导体芯片的外围设置；

所述磁场强度测定件设置在所述第二转盘上；

所述驱动装置与第一转盘连接，所述第一转盘和第二转盘之间采用所述转盘连接件连接。

进一步的，所述第一转盘上开设第一螺纹孔，所述第二转盘上开设第二螺纹孔；

所述转盘连接件采用连接螺杆；

所述连接螺杆的顶端与所述第一螺纹孔螺纹连接；

所述连接螺杆的底端与所述第二螺纹孔螺纹连接。

进一步的，所述磁场强度测定件采用多个；

多个所述磁场强度测定件沿第二转盘的顶面间隔排布设置。

进一步的，所述压接组件包括支撑架、金属导体、接触电极；

所述金属导体包括第一金属导体和第二金属导体，所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极；

所述支撑架的顶端放置所述驱动装置；

所述支撑架内放置被测半导体芯片；

所述被测半导体芯片的顶面从下到上依次接触第一金属导体、第一接触电极；