[发明专利]钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 202110017209.9 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN112885914A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 袁晨辰;牛欢欢;陈伟中;汪荣峰;范利生;陈加坡;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司;苏州协鑫纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 苏州企航知识产权代理事务所(普通合伙) 32354 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 hjt 层叠 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,包括若干电池片模块,所述电池片模块包括依次设置的背面栅线、HJT电池层、导电基底层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和正面栅极,所述HJT电池层顶端为P侧,所述正面栅极和背面栅极包括至少两组主栅,所述主栅之间排列设置有若干副栅;相邻的电池片之间的主栅叠置设置,并通过导电胶连接。
2.一种钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,包括若干电池片模块,所述电池片模块包括依次设置的背面栅线、HJT电池层、导电基底层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和正面栅极,所述HJT电池层顶端为N侧,所述正面栅极和背面栅极包括至少两组主栅,所述主栅之间排列设置有若干副栅;相邻的电池片之间的主栅叠置设置,并通过导电胶连接。
3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述导电基底层包括FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种,所述FTO导电玻璃或FTO导电塑料的厚度为450nm~500nm,所述ITO导电玻璃或ITO导电塑料的厚度为300-400nm。
4.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述电子传输层为PCBM、TiOx、SnO2或ZnSnOx中的任意一种,厚度为10-30nm。
5.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述空穴传输层为NiOx,厚度为15-40nm。
6.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述钙钛矿为MAPbI3,其中,MA的结构式为CH3NH3+,厚度为300~2000nm。
7.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述钙钛矿为FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3,其中,FA的结构式为CH3NH2NH3+,厚度为300~2000nm。
8.根据权利要求1或2所述的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,其特征在于,所述主栅和副栅为为Ag、Al或Au中的任意一种,厚度约为100~6000nm,栅线宽度为30um。
9.一种钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件制备方法,其特征在于,预切HJT电池作为衬底,背侧的主栅在一侧;
HJT绒面上依次真空沉积25nm NiOx,PbO或者CuI籽晶层;
制备钙钛矿前驱液,将FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3溶于DMF与NMP的混合溶液中,DMF与NMP的混合比例为1:2~9,所述FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3为0.8-1.5mol/L;
在HJT电池上刮涂钙钛矿前驱液,形成液膜;
经过吹风系统吹风结晶,同时进行加热处理,加热温度为150℃-170℃;
在凝固的钙钛矿结晶两个表面涂布进行电子传输层和空穴传输层,电子传输层和空穴传输层通过刮涂或真空沉积的方式;
沉积IWO透明电极;
在电子传输层上丝印金属栅线;
将相邻的电池片的主栅叠置,并通过导电胶粘合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的