[发明专利]钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 202110017209.9 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN112885914A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 袁晨辰;牛欢欢;陈伟中;汪荣峰;范利生;陈加坡;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司;苏州协鑫纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 苏州企航知识产权代理事务所(普通合伙) 32354 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 hjt 层叠 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
本发明提出了钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件及其制备方法,包括若干电池片模块,所述电池片模块包括依次设置的背面栅线、HJT电池层、导电基底层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和正面栅极,所述HJT电池层顶端为P侧,所述正面栅极和背面栅极包括至少两组主栅,所述主栅之间排列设置有若干副栅;相邻的电池片之间的主栅叠置设置,并通过导电胶连接,利用低温导电胶带对表面主栅线进行连接,达到在单位面积内排布更多电池的目的;同时叠层电池的电压较高,可以减少在传输时的热损失;叠层电池组件可以通过涂布‑吹气结晶直接成型,制备快速方便,对HJT衬底要求不高,可以在绒面上制备,获得更高的效率。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件及 其制备方法。
背景技术
近些年来,随着研究的不断深入,钙钛矿电池取得突飞猛进的发展,效率由 最初的3.8%增长到25.5%,被誉为“光伏领域的新希望”。HJT异质结电池吸收 光谱短(300-1200nm),但其对短波光吸收利用率低而限制效率,而钙钛矿对短 波到可见光波长(300-800nm)利用率相当高。在HJT电池上叠加钙钛矿电池可 以有效的增加对太阳光不同波长的吸收范围,获得更高的转化效率。
而采用传统的焊带串联电池片涉及到局部高温对钙钛矿的破坏作用,并且采 用这种串联方式下的光伏组件的电流收集不均匀,光电转化损失的功率较大。光 伏叠瓦组件是一种新型的组件设计方案,旨在单位面积内排布更多的电池片,提 高空间面积的利用性。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提出了一种钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组 件,包括若干电池片模块,所述电池片模块包括依次设置的背面栅线、HJT电池 层、导电基底层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和正面栅极,所述HJT 电池层顶端为P侧,所述正面栅极和背面栅极包括至少两组主栅,所述主栅之间 排列设置有若干副栅;相邻的电池片之间的主栅叠置设置,并通过导电胶连接。
本发明提出的反向结构的钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件,包括若干电 池片模块,所述电池片模块包括依次设置的背面栅线、HJT电池层、导电基底层、 空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和正面栅极,所述HJT电池层顶端为N侧, 所述正面栅极和背面栅极包括至少两组主栅,所述主栅之间排列设置有若干副 栅;相邻的电池片之间的主栅叠置设置,并通过导电胶连接。
优选的,所述导电基底层包括FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、 ITO导电塑料中的任意一种,所述FTO导电玻璃或FTO导电塑料的厚度为450nm~500nm,所述ITO导电玻璃或ITO导电塑料的厚度为300-400nm。
优选的,所述电子传输层为PCBM、TiOx、SnO2或ZnSnOx中的任意一种,厚 度为10-30nm。
优选的,所述空穴传输层为NiOx,厚度为15-40nm。
优选的,所述钙钛矿为MAPbI3,其中,MA的结构式为CH3NH3+,厚度为 300~2000nm。
优选的,所述钙钛矿为FA0.75Cs0.175MA0.075PbI3,其中,FA的结构式为CH3NH2NH3+,厚度为300~2000nm。
优选的,所述主栅和副栅为为Ag、Al或Au中的任意一种,厚度约为100~6000 nm,栅线宽度为30um。
一种钙钛矿HJT叠层叠瓦太阳能电池组件制备方法,
预切HJT电池作为衬底,背侧的主栅在一侧;
HJT绒面上依次真空沉积25nm NiOx,PbO或者CuI籽晶层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的