[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面依次形成有浮栅介质层和浮栅层，其中在所述第一区域的半导体衬底、浮栅介质层和浮栅层中形成有隔离结构，在所述第二区域的浮栅层表面形成分立的控制栅结构；

在所述控制栅结构的侧壁形成第一侧墙，并且在所述第一侧墙两侧的浮栅层表面以及所述第一区域的浮栅层和隔离结构表面形成介质层；

去除相应的第一侧墙的部分及所述相应的第一侧墙所在侧的介质层，在所述控制栅结构的侧壁形成偏移侧墙；

去除所述第一区域的介质层和部分隔离结构以及所述第二区域其余的介质层，使所述隔离结构的顶面与所述半导体衬底的表面之间具有特定的高度差。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述特定的高度差为-400埃～400埃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙和所述介质层的工艺包括：

在所述第一区域、所述第二区域的浮栅层和所述隔离结构表面，以及所述控制栅结构的表面和侧壁，依次形成第一侧墙材料层、第二侧墙材料层；

刻蚀所述第二侧墙材料层，使剩余的第二侧墙材料层仅覆盖所述控制栅结构侧壁的第一侧墙材料层；

在露出的第一侧墙材料层和剩余的第二侧墙材料层表面形成第三侧墙材料层；

刻蚀所述第三侧墙材料层，使剩余的第三侧墙材料层仅覆盖所述控制栅结构侧壁的第二侧墙材料层；

其中，所述控制栅结构侧壁的第一侧墙材料层、第二侧墙材料层及第三侧墙材料层构成所述第一侧墙，所述露出的第一侧墙材料层作为所述介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三侧墙材料层的厚度为50埃～1000埃。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙和所述介质层之后，还包括在所述相应的第一侧墙之间的半导体衬底中形成临限电压层，形成所述临限电压层的工艺包括：

在所述第一区域和第二区域上方形成掩膜板，所述掩膜板露出所述相应的第一侧墙及所述相应的第一侧墙之间的介质层表面；

以所述掩膜板为掩膜，采用离子注入工艺形成所述临限电压层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述偏移侧墙的工艺包括：以所述掩膜板为掩膜，刻蚀所述相应的第一侧墙中的第三侧墙材料层，使所述控制栅结构两侧的第一侧墙厚度不同，形成偏移侧墙，以及刻蚀所述相应的第一侧墙所在侧的介质层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一区域的介质层和部分隔离结构以及所述第二区域其余的介质层的工艺为无掩膜的干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第一区域和所述第二区域的浮栅层，使所述第二区域的浮栅层和所述偏移侧墙的侧壁共面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述浮栅层和所述偏移侧墙的侧壁形成第二侧墙。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域为逻辑区，所述第二区域为闪存区。