[发明专利]感测装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110017770.7 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114743997A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 万玮琳;刘侑宗;陈明志;李淂裕 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 制造 方法 | ||
1.一种感测装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
形成一感测单元于所述基板上；
形成一第一遮光层于所述感测单元上；
形成一第一抗反射层于所述感测单元上；以及
借由单一光刻制程将所述第一遮光层以及所述第一抗反射层图案化，以形成对应于所述感测单元的一第一针孔。
2.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第一针孔的宽度介于1微米至20微米之间。
3.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，形成所述第一抗反射层的步骤包括：
形成一第一绝缘层；
形成一金属层于所述第一绝缘层上；以及
形成一第二绝缘层于所述金属层上。
4.如权利要求3所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的其中一者的厚度介于500埃至1000埃之间。
5.如权利要求3所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度介于40埃至200埃之间。
6.如权利要求5所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度介于40埃至160埃之间。
7.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第一抗反射层形成于所述第一遮光层上。
8.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一集光单元于所述第一抗反射层上。
9.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第一遮光层的厚度介于1000埃至3000埃之间。
10.如权利要求1所述的感测装置的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一第二遮光层于所述第一抗反射层上；
形成一第二抗反射层于所述第一抗反射层上；以及
借由单一光刻制程将所述第二遮光层以及所第二抗反射层图案化，以形成一第二针孔，所述第二针孔与所述第一针孔于所述基板的法线方向上重叠。
11.如权利要求10所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第二针孔的宽度大于所述第一针孔的宽度。
12.如权利要求10所述的感测装置的制造方法，其特征在于，所述第二抗反射层形成于所述第二遮光层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
