[发明专利]内嵌式存储器系统与存储器测试方法在审

专利信息
申请号: 202110018675.9 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN114743584A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 陈衍彬 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/12
代理公司: 北京市君合律师事务所 11517 代理人: 毕长生;魏宇明
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 内嵌式 存储器 系统 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种内嵌式存储器系统,包括:

一内嵌式存储器电路,用以存储一查找表;以及

一主控端电路,用以利用具有多个相位的一测试时钟信号以及所述内嵌式存储器电路的一程序的多个指令对所述内嵌式存储器电路进行测试,并记录所述指令中每一个与所述相位之间的一对应关系,以产生所述查找表。

2.根据权利要求1所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述程序为一启动程序,所述启动程序为通过所述内嵌式存储器电路运行的一内核或一操作系统在开机时所执行的所述程序。

3.根据权利要求1所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述指令包括多个以不同时钟频率执行的读取指令或写入指令。

4.根据权利要求1所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述内嵌式存储器电路用以依序使用所述相位执行所述指令中的一第一指令以产生一测试结果,且所述主控端电路用以根据所述测试结果确认所述内嵌式存储器电路有利用所述相位中的至少一第一相位正确地执行所述第一指令。

5.根据权利要求4所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述主控端电路还用以根据一默认存储器标准自所述至少一第一相位选择一特定相位,以产生所述查找表。

6.根据权利要求5所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述主控端电路还用以根据所述默认存储器标准自所述至少一第一相位排除至少一第二相位。

7.根据权利要求5所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述主控端电路还用以根据所述默认存储器标准确认所述内嵌式存储器电路响应于所述第一指令所产生的一信号的一建立时间与所述相位之间的一对应关系,以产生所述查找表。

8.根据权利要求5所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述主控端电路还用以根据所述默认存储器标准确认所述内嵌式存储器电路响应于所述第一指令所产生的一信号的一保持时间与所述相位之间的一对应关系,以产生所述查找表。

9.根据权利要求5所述的内嵌式存储器系统,其特征在于,所述特定相位为所述至少一第一相位中的一中间相位。

10.一种存储器测试方法,包括:

利用具有多个相位的一测试时钟信号以及一程序的多个指令对一内嵌式存储器电路进行测试;以及

记录所述指令中每一个与所述相位之间的一对应关系,以产生一查找表,所述内嵌式存储器电路用以根据所述查找表选择所述相位中对应于所述指令中的一第一指令的一特定相位,以执行所述第一指令。

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