[发明专利]一种制备纳米晶磁芯的热处理方法有效
| 申请号： | 202110020308.2 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112831641B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李雪莲;潘琳茹;王丽 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C21D9/00 | 分类号： | C21D9/00;H01F41/02;C21D1/26;C21D6/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 264209 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 晶磁芯 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备纳米晶磁芯的热处理方法，包括步骤如下：
将淬态铁基非晶合金带材卷绕成环状磁芯；围绕环状磁芯的外周设置有铜带卷，所述铜带卷内侧与环状磁芯外侧的间距为0.5~1mm；所述的环状磁芯与铜带卷的厚度比为2.5~4:1；
之后置于石英管中，抽真空，再将石英管置于升温至退火温度的退火炉中，进行保温，所述的保温时间为5~25min；保温结束后，随炉冷却至563K~583K，之后水冷降温至室温，拆掉铜带卷，得到纳米晶磁芯。
2.根据权利要求1所述的制备纳米晶磁芯的热处理方法，其特征在于，所述的环状磁芯的厚度为2mm。
3.根据权利要求1所述的制备纳米晶磁芯的热处理方法，其特征在于，所述的铜带卷是由铜带材绕制而成，所述铜带材的厚度为0.1mm；所述的铜带卷的高度与环状磁芯的高度相同。
4.根据权利要求1所述的制备纳米晶磁芯的热处理方法，其特征在于，所述的升温速率为100K~200K/min。
5.根据权利要求1所述的制备纳米晶磁芯的热处理方法，其特征在于，所述的退火温度为（
6.根据权利要求1所述的制备纳米晶磁芯的热处理方法，其特征在于，所述的保温时间为5~20min。
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