[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110026057.9 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113990951A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 摩尔·沙哈吉·B;蔡俊雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一基板；
一介电质，在该基板上；
一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；
一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；
一垂直堆叠，包括安置在该磊晶层的该第二区域之上的纳米薄片层；以及
一栅极堆叠，安置在该磊晶层的该第二区域上且环绕该垂直堆叠的所述纳米薄片层。
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