[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110026057.9 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113990951A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 摩尔·沙哈吉·B;蔡俊雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
本揭示案是关于一种半导体结构，包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；一垂直堆叠，包括安置在该磊晶层的该第二区域之上的纳米薄片层；以及一栅极堆叠，安置在该磊晶层的该第二区域上且环绕该垂直堆叠的这些纳米薄片层。
技术领域
本揭露涉及一种半导体结构及其制造方法。
背景技术
基于鳍片的场效应晶体管(finFET)中的源极/漏极区域是自鳍片结构的侧表面及其上形成有鳍片结构的半导体基板的顶表面生长。在操作期间，可能在源极/漏极区域与半导体基板之间形成寄生接面电容，此会使finFET的效能降级。
发明内容
根据本揭露的一些实施例中，一种半导体结构包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；一垂直堆叠，包括安置在该磊晶层的该第二区域之上的纳米薄片层；以及一栅极堆叠，安置在该磊晶层的该第二区域上且环绕该垂直堆叠的这些纳米薄片层。
附图说明
当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。
图1为根据一些实施例的在局部隔离结构之上的环绕式栅极纳米薄片FET的横截面图；
图2为根据一些实施例的在局部隔离结构之上的环绕式栅极纳米薄片FET的横截面图；
图3A至图3B为根据一些实施例的用于制造在环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构的方法的流程图；
图4为根据一些实施例的在制造环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构期间的中间结构的等角视图；
图5至图12B为根据一些实施例的在制造环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构期间的中间结构的横截面图；
图12C为根据一些实施例的形成于具有交替纳米薄片层的鳍片结构之下的局部隔离结构的等角视图；
图13A及图13B为根据一些实施例的用于制造在环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构的方法的流程图；
图14至图16A为根据一些实施例的在制造环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构期间的中间结构的等角视图；
图16B至图19A为根据一些实施例的在制造环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构期间的中间结构的横截面图；
图19B为根据一些实施例的在制造环绕式栅极纳米薄片FET之下的局部隔离结构期间的中间结构的等角视图。
【符号说明】
100:环绕式栅极场效应晶体管(GAA FET)
110:磊晶层
110t:厚度
115:局部隔离结构
120:基板
125:源极/漏极(S/D)磊晶结构
130:纳米薄片(NS)/纳米线(NW)/NS层
135:间隔物结构
140:栅极堆叠
145:界面层(IL)
150:高介电常数介电质
155:栅电极
160:栅极间隔物
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