[发明专利]陶瓷线路板及其制作方法在审
申请号: | 202110026524.8 | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN112864024A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 章军 | 申请(专利权)人: | 池州昀冢电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H05K3/02;H05K3/04 |
代理公司: | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 线路板 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种陶瓷线路板及其制作方法,该陶瓷线路板的制作方法包括以下步骤:在所述陶瓷基板上制作导电膜层;根据预设的电路图形,采用激光对所述导电膜层进行刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层,得到图形化的电路层。通过在陶瓷基板上制作导电膜层,并根据预设的电路图形,采用激光刻蚀技术对导电膜层直接进行刻蚀,得到图形化的电路层,省去了现有陶瓷线路板的制作工艺中的贴干膜、曝光、显影、电镀加厚、去干膜、去钛、铜层等步骤,大大简化了陶瓷线路板的制作工序,同时避免了因曝光、显影、电镀加厚、化学去膜蚀刻等工序带来的污染物排放问题,对于提高陶瓷线路板的品质稳定性和节能环保具有重要意义。
技术领域
本申请涉及线路封装技术领域,尤其涉及陶瓷线路板及其制作方法。
背景技术
陶瓷材料因具有可靠性高、导热性好、热膨胀系数与芯片材料匹配、电绝缘强度高等优点,是封装技术的理想散热材料,目前陶瓷封装技术的发展与趋势,不断地向低热阻、高可靠度、长寿命、易加工、小尺寸及低成本等方向持续发展。陶瓷封装凭借导热好、可靠性高等特性,始终在功率电子器件领域占据着一席之地。
最初陶瓷封装的基板主要采用LTCC(Low Temperature co-fired ceramics,低温共烧陶瓷)和HTCC(High Temperature co-fired ceramics,高温共烧陶瓷)工艺技术,由于加工精度的缺陷,很快新的技术DPC(Direct Plating Copper,直接镀铜)工艺发明解决了这一问题。DPC陶瓷线路板采用结合薄膜线路与电镀制程的技术,在薄膜金属化的陶瓷基板上采用影像转移方式制作线路,再采用穿孔电镀技术形成高密度双面布线间的垂直互连,具备了高线路精准度、高表面平整度、高绝缘及高导热的特性,在高功率封装领域迅速占据了重要的市场地位。
DPC陶瓷线路板传统的制作工艺流程包括以下典型步骤:提供陶瓷基板,真空镀薄铜,贴干膜,曝光显影,电镀铜,化学去膜蚀刻,表面处理,成型陶瓷线路板。公告号为CN102709439B的中国专利公开了一种LED陶瓷支架及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:(1)打孔;(2)超声波清洗;(3)离子源蚀刻;(4)磁控溅镀;(5)化学沉铜;(6)贴干膜、曝光、显影;(7)电镀加厚;(9)去干膜;(10)去钛、铜层;(11)去锡。现有DPC陶瓷线路板的制作工艺存在以下缺陷:生产流程长,工序繁多,工艺过程控制复杂,容易导致产品品质不稳定,生产成本提高。另外现有工艺中的曝光显影、电镀和化学去膜蚀刻工序涉及到污染物排放,容易污染环境。
因此,研究如何简化陶瓷线路板的制作工艺和减少污染对于提高陶瓷线路板的品质稳定性、节能环保具有重要意义。
发明内容
本申请的目的在于提供一种陶瓷线路板及其制作方法,通过对陶瓷线路板的制作方法进行改进,简化陶瓷线路板的制作工艺,并减少污染。
本申请的目的采用以下技术方案实现:
一种陶瓷线路板的制作方法,包括以下步骤:
在所述陶瓷基板上制作导电膜层;
根据预设的电路图形,采用激光对所述导电膜层进行刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层,得到图形化的电路层。
优选地,还包括在所述陶瓷基板上制作导电膜层之前,对所述陶瓷基板进行预处理。
优选地,所述在陶瓷基板上制作导电膜层包括:采用真空镀膜方法在陶瓷基板上制作导电膜层。
优选地,所述真空镀膜方法为磁控溅射。
优选地,所述在陶瓷基板上制作导电膜层包括:采用真空镀膜方法在陶瓷基板上制作第一导电层,采用电镀方法在所述第一导电层上制作第二导电层,所述第一导电层和第二导电层形成所述导电膜层。
优选地,所述第一导电层包括形成在所述陶瓷基板上的钛导电层和/或第一铜导电层,所述第二导电层包括第二铜导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造