[发明专利]发光强度的检测装置及系统

权利要求书

1.一种发光强度的检测装置，其特征在于，所述装置包括：基底、栅极、源极、漏极、第一石墨烯层、第二石墨烯层、光致形变层、光栅层和发光分子层；所述基底一个面的中央位置设置有凹槽，所述凹槽内部设置有所述栅极，所述第一石墨烯层覆盖设置在所述凹槽的开口位置，所述光致形变层设置在所述第一石墨烯层远离所述基底的一侧，所述第二石墨烯层设置在所述光致形变层远离基底的一侧，所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层的两端连接，所述源极和漏极分别设置在所述第一石墨烯层和第二石墨烯层的两端的两侧，所述光栅设置在所述第二石墨烯层远离所述基底的一侧，所述发光分子层设置在所述光栅远离所述基底的一侧。

2.根据权利要求1所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述光栅的材料为贵金属材料。

3.根据权利要求1所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述光致形变层包括多个光致形变单元，多个所述光致形变单元周期设置在所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层之间。

4.根据权利要求1所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述光致形变层的所述光致形变单元在所述基底上的投影的位置处于两个相邻的光栅在所述基底上的投影之间。

5.根据权利要求1所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述装置还包括光致形变结构，所述光致形变结构为长条形状，设置在所述栅极与所述第一石墨烯层之间。

6.根据权利要求5所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述第一石墨烯层、所述第二石墨烯层、所述光致形变层、所述光栅层和所述发光分子层均为中央凸起结构，且所述光致形变结构设置在所述第一石墨烯层的中央凸起结构内部。

7.根据权利要求1所述的发光强度的检测装置，其特征在于，所述基底的材料为硅或锗。

8.一种发光强度的检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源、电能表、单片机和权利要求1-7任意一项所述的发光强度的检测装置，所述电源与所述检测装置电连接，用于给所述检测装置供电，所述电能表用于检测所述检测装置的输出电压，所述单片机用于根据所述检测装置的输出电压与待测发光强度的对应关系，得到待测发光强度。