[发明专利]发光强度的检测装置及系统

说明书

本申请涉及发光强度的检测装置及系统，具体而言，涉及发光强度检测领域。本申请提供一种发光强度的检测装置包括：基底、栅极、源极、漏极、第一石墨烯层、第二石墨烯层、光致形变层、光栅层和发光分子层；当需要对待测发光分子的发光强度进行检测的时候，给本申请的源极电极通电，进而激发该待测发光分子的能级发生跃迁变化进而产生光，进而光信号照射在该光致形变层上，该光致形变层在光的照射下发生形变，进而使得该光致形变层上的石墨烯层也发生形变，进而改变该石墨烯层的载流子密度和电导率，通过在漏极电极处检测该装置的输出电压，并根据该检测装置的输出电压与待测发光分子的发光强度的对应关系，得到该待测发光分子的发光强度。

技术领域

本申请涉及发光强度检测领域，具体而言，涉及一种发光强度的检测装置及系统。

背景技术

发光强度是在光度学中简称光强或光度。用于表示光源给定方向上单位立体角内光通量的物理量，国际单位为坎德拉，符号：cd，以前又称烛光、支光。发光强度的定义考虑人的视觉因素和光学特点，是在人的视觉基础上建立起来的，在实际应用中发光分子可以产生不同强度的光。

现有的检测发光分子发光光强的装置是通过检测该发光体在该方向的立体角元dΩ内传输的光通量dΦ除以该立体角元所得之商，即单位立体角的光通量.其公式为：其中，发光强度的单位为坎德拉(cd)，光通量单位为流明(lm)，立体角单位为sr，故1cd＝1lm/sr。

但是，由于在检测发光分子的发光强度的时候，需要检测该方向的立体角元内传输的光通量，通过两个量的比值得到待测发光强度，使得在检测方向的立体角元和光通量的时候易于产生测量误差，进而使得对待测发光分子的发光强度的检测不准确。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种发光强度的检测装置及系统，以解决现有技术中由于在检测发光分子的发光强度的时候，需要检测该方向的立体角元内传输的光通量，通过两个量的比值得到待测发光强度，使得在检测方向的立体角元和光通量的时候易于产生测量误差，进而使得对待测发光分子的发光强度的检测不准确的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种发光强度的检测装置，装置包括：基底、栅极、源极、漏极、第一石墨烯层、第二石墨烯层、光致形变层、光栅层和发光分子层；基底一个面的中央位置设置有凹槽，凹槽内部设置有栅极，第一石墨烯层覆盖设置在凹槽的开口位置，光致形变层设置在第一石墨烯层远离基底的一侧，第二石墨烯层设置在光致形变层远离基底的一侧，第一石墨烯层和第二石墨烯层的两端连接，源极和漏极分别设置在第一石墨烯层和第二石墨烯层的两端的两侧，光栅设置在第二石墨烯层远离基底的一侧，发光分子层设置在光栅远离基底的一侧。

可选地，该光栅的材料为贵金属材料。

可选地，该光致形变层包括多个光致形变单元，多个光致形变单元周期设置在第一石墨烯层和第二石墨烯层之间。

可选地，该光致形变层的光致形变单元在基底上的投影的位置处于两个相邻的光栅在基底上的投影之间。

可选地，该装置还包括光致形变结构，光致形变结构为长条形状，设置在栅极与第一石墨烯层之间。

可选地，该第一石墨烯层、第二石墨烯层、光致形变层、光栅层和发光分子层均为中央凸起结构，且光致形变结构设置在第一石墨烯层的中央凸起结构内部。

可选地，该基底的材料为硅或锗。

第二方面，本申请提供一种发光强度的检测系统，系统包括：电源、电能表、单片机和第一方面任意一项的发光强度的检测装置，电源与检测装置电连接，用于给检测装置供电，电能表用于检测检测装置的输出电压，单片机用于根据检测装置的输出电压与待测发光强度的对应关系，得到待测发光强度。

本发明的有益效果是：