[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包括:

提供基底，该基底包括存储器区及逻辑元件区；

形成存储单元于该存储器区上；

形成第一半导体层于该存储器区及该逻辑元件区上并且覆盖该存储单元；

形成遮盖层于该逻辑元件区上的该第一半导体层上；

形成第二半导体层于该存储器区及该逻辑元件区上并且覆盖该遮盖层；

进行平坦化制作工艺以移除部分该第二半导体层及部分该第一半导体层至显露出该遮盖层及该存储单元；

以该遮盖层为掩模，对该存储器区上的该第二半导体层及该第一半导体层进行回蚀刻制作工艺；

移除该遮盖层；以及

移除该遮盖层后，对该存储器区及该逻辑元件区上的该第一半导体层进行注入制作工艺。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该存储单元包括:

浮置栅极；

控制栅极，设置在该浮置栅极上；

硬掩模层，设置在该控制栅极上；以及

介电层，设置在该浮置栅极及该控制栅极之间。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其中该介电层为氧化物-氮化物-氧化物介电层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其中该硬掩模层包括氮化硅。

5.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其中该存储单元还包括一对间隙壁，设置在该浮置栅极、该控制栅极、该硬掩模层以及该介电层的侧壁上。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该第一半导体层及该第二半导体层分别包括多晶硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该遮盖层包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该回蚀刻制作工艺完全移除该第二半导体层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其中该回蚀刻制作工艺后，该存储器区上的该第一半导体层的厚度小于该逻辑元件区上的该第一半导体层的厚度。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，另包括:

图案化该第一半导体层，以于该存储器区形成字符线以及于该逻辑元件区形成栅极结构。