[发明专利]半导体结构的制作方法

说明书

本发明公开一种半导体结构的制作方法，其步骤包括提供一基底，其包括一存储器区及一逻辑元件区。形成一存储单元于存储器区上以及一第一半导体层于存储器区及逻辑元件区上并且覆盖存储单元。形成一遮盖层于逻辑元件区上的第一半导体层上，形成一第二半导体层于存储器区及逻辑元件区上并且覆盖遮盖层。进行一平坦化制作工艺以移除部分第二半导体层及部分第一半导体层至显露出遮盖层及存储单元。以遮盖层为掩模对存储器区上的第二半导体层及第一半导体层进行一回蚀刻制作工艺。后续移除遮盖层，接着对存储器区及逻辑元件区上的第一半导体层进行一注入制作工艺。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种包括嵌入式存储器的半导体结构的制作方法。

背景技术

非挥发性存储器(nonvolatile memory)是现今各种电子装置中用于存储结构数据、程序数据等的存储器元件，其中闪存存储器由于具有可进行多次数据的存入、读取、抹除(erase)等动作，且存入的数据在断电后不会消失等优点，而成为个人计算机或电子设备所广泛采用的一种非挥发性存储器(non-volatile memory)元件。

为了达到降低成本及简化制作工艺步骤的需求，将存储单元(memory cell)与逻辑电路元件整合在同一芯片上已逐渐成为一种趋势，称之为嵌入式闪存存储器(embeddedflash memory)。如何整合制作存储单元与逻辑电路元件为本领域重要的课题。

发明内容

本发明目的在于提供一种整合有嵌入式存储器及逻辑电路元件的半导体结构的制作方法。

本发明一实施例公开了一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤。首先，提供一基底，该基底包括一存储器区及一逻辑元件区。接着，形成一存储单元于该基底的该存储器区上。然后，形成一第一半导体层于该存储器区及该逻辑元件区上并且覆盖该存储单元。接着，形成一遮盖层于该逻辑元件区上的该第一半导体层上，再形成一第二半导体层于该存储器区及该逻辑元件区上并且覆盖该遮盖层。接着，进行一平坦化制作工艺以移除部分该第二半导体层及部分第一半导体层至显露出该遮盖层及该存储单元，再以该遮盖层为掩模，对该存储器区上的该第二半导体层及该第一半导体层进行一回蚀刻制作工艺。回蚀刻制作工艺后，移除该遮盖层，然后再对该存储器区及该逻辑元件区上的该第一半导体层进行一注入制作工艺。

附图说明

图1至图9为本发明一实施例的半导体结构于制作工艺的不同步骤的剖面示意图；

图10为本发明一实施例的半导体结构的制作方法的步骤流程图。

主要元件符号说明

10 基底

10A 存储器区

10B 逻辑元件区

12 隔离结构

14 主动(有源)区

16 介电层

20 存储单元

22 浮置栅极

24 介电层

24a 氧化物层

24b 氮化物层

24c 氧化物层

26 控制栅极

28 硬掩模层

29 间隙壁

30 第一半导体层

32 遮盖层

34 第二半导体层

36 图案化光致抗蚀剂层