[发明专利]集成电路在审
申请号: | 202110031315.2 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN113053873A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 彭士玮;曾健庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:
一第一图案金属层,包括在一第一方向上延伸的复数个金属轨道,其中该些金属轨道中的每一者与其相邻者通过一第一间距分离开;
一第二图案金属层,形成于该第一图案金属层之上,其中该第二图案金属层包括在该第一方向上延伸的第二复数个金属轨道,其中该些金属轨道中的每一者与其相邻者通过一第二间距分离开,且其中该第二复数个金属轨道少于9个金属轨道;
一第三图案金属层,安置在该第一图案金属层与该第二图案金属层之间,该第三图案金属层包括:
一第一金属轨道区段,在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸,其中该第一金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第一者重叠,其中该第一金属轨道区段具有在该第一方向上延伸的一第一边缘;
一第二金属轨道区段,在该第二方向上延伸,其中该第二金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第二者重叠,其中该第二金属轨道区段具有面向该第一金属轨道区段的该第一边缘的一第二边缘,且其中该第二金属轨道区段具有与该第二边缘相对的一第三边缘;以及
一第三金属轨道区段,在该第二方向上延伸,其中该第三金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第三者重叠,其中该第三金属轨道区段具有面向该第二金属轨道区段的该第三边缘的一第四边缘;
其中该集成电路在该第二方向上是由一双单元高度限定,且其中该些金属轨道、该第二复数个金属轨道中的每一者及该第一金属轨道区段、该第二金属轨道区段及该第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在该双单元高度以内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的