[发明专利]集成电路在审

专利信息
申请号: 202110031315.2 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN113053873A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 彭士玮;曾健庭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路,其特征在于,包括:

一第一图案金属层,包括在一第一方向上延伸的复数个金属轨道,其中该些金属轨道中的每一者与其相邻者通过一第一间距分离开;

一第二图案金属层,形成于该第一图案金属层之上,其中该第二图案金属层包括在该第一方向上延伸的第二复数个金属轨道,其中该些金属轨道中的每一者与其相邻者通过一第二间距分离开,且其中该第二复数个金属轨道少于9个金属轨道;

一第三图案金属层,安置在该第一图案金属层与该第二图案金属层之间,该第三图案金属层包括:

一第一金属轨道区段,在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸,其中该第一金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第一者重叠,其中该第一金属轨道区段具有在该第一方向上延伸的一第一边缘;

一第二金属轨道区段,在该第二方向上延伸,其中该第二金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第二者重叠,其中该第二金属轨道区段具有面向该第一金属轨道区段的该第一边缘的一第二边缘,且其中该第二金属轨道区段具有与该第二边缘相对的一第三边缘;以及

一第三金属轨道区段,在该第二方向上延伸,其中该第三金属轨道区段与该第一图案金属层的该些金属轨道中的至少一第三者重叠,其中该第三金属轨道区段具有面向该第二金属轨道区段的该第三边缘的一第四边缘;

其中该集成电路在该第二方向上是由一双单元高度限定,且其中该些金属轨道、该第二复数个金属轨道中的每一者及该第一金属轨道区段、该第二金属轨道区段及该第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在该双单元高度以内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110031315.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top