[发明专利]集成电路在审
申请号: | 202110031315.2 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN113053873A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 彭士玮;曾健庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
在一个实施例中,一种集成电路包括第一图案金属层;形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层,其中此第二图案金属层包括在第一方向上延伸且少于9个的第二复数个金属轨道;安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层,此第三图案金属层包括第一金属轨道区段、在第二方向上偏离第一金属轨道区段的第二金属轨道区段,及在第二方向上偏离第二金属轨道区段的第三金属轨道区段,其中第二复数个金属轨道以及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分在第二方向上是在双单元高度以内。
技术领域
本申请案是关于电路,且更特定而言,是关于布线系统及方法。
背景技术
将集成电路(integrated circuit,IC)小型化的最新趋势已导致更小的元件,其消耗更少功率,但以更高的速度提供更多功能。小型化制程亦已导致更严格的设计及制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具产生、最佳化并验证用于集成电路的标准单元布局图案,而同时确保符合标准单元布局设计及制造规范。
发明内容
根据本揭露的一些实施例,一种集成电路。此集成电路包括第一图案金属层,其包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第一间距分离开。此集成电路包括形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层。第二图案金属层包括在第一方向上延伸的第二复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第二间距分离开。第二复数个金属轨道少于9个金属轨道。此集成电路包括安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层。第三图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段。第一金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第一者重叠。第一金属轨道区段具有在第一方向上延伸的第一边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第二金属轨道区段。第二金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第二者重叠。第二金属轨道区段具有面向第一金属轨道区段的第一边缘的第二边缘。第二金属轨道区段具有与第二边缘相对的第三边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第三金属轨道区段。第三金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第三者重叠。第三金属轨道区段具有面向第二金属轨道区段的第三边缘的第四边缘。此集成电路在第二方向上由双单元高度限定。复数个金属轨道、第二复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内。
附图说明
当结合随附诸图阅读时,得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意,根据行业上的标准实务,各种特征未按比例绘制。事实上,为了论述清楚,可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计;
图2根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计;
图3A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图3B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图4A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图4B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图5A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图5B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图6A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图6B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计;
图7A根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计;
图7B根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的