[发明专利]电子装置及电子装置的制作方法有效
申请号: | 202110035489.6 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN112887880B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H04R7/06 | 分类号: | H04R7/06;H04R31/00;H04M1/03 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制作方法 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括显示组件和发声组件,所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层,所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分;
所述发声组件包括:
金属氧化层,设置于所述第一部分;
金属层,具有一体成型的第三部分和第四部分,所述第三部分设置于所述金属氧化层,所述第四部分和第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔,所述发声微腔包括多个间隔的子发声微腔;和
激励器,设置于所述第三部分和第四部分,以驱动所述第四部分振动而发出声音;
其中,所述激励器和所述金属层覆盖所述显示组件。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件内部的一面;或者
所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件外部的一面。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,所述第一基板是所述显示组件的盖板,所述第二基板是所述显示组件的TFT基板;或者
所述第一基板是所述显示组件的TFT基板,所述第二基板是所述显示组件的盖板。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述金属氧化层包括一体成型的第五部分和第六部分,所述第五部分连接所述第一部分和所述第三部分,所述第六部分设置于所述第二部分,且与所述第四部分通过所述发声微腔相互间隔。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电子装置,其特征在于,所述金属层开设有在所述金属层厚度方向贯穿所述金属层的通孔,所述通孔与所述发声微腔连通。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述通孔包括多个间隔设置的子通孔,每一所述子发声微腔与至少一所述子通孔连通。
7.一种电子装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供一显示组件,所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层,所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分;
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层,所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分,所述第三部分和所述第一部分相对,所述第四部分和所述第二部分相对;
对所述金属层进行第一刻蚀处理,以刻蚀未被所述保护层保护的金属层;
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理,以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的所述金属氧化层,以使所述第四部分和所述第二部分相互间隔形成一发声微腔;
剥离所述保护层;
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器,以驱动所述第四部分振动而发出声音。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制作方法,其特征在于,对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理,包括:
利用刻蚀液对所述金属氧化层进行湿法刻蚀处理;
其中,所述刻蚀液为PAN酸、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种,其中,所述PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。
9.根据权利要求7或8所述的电子装置的制作方法,其特征在于,制作所述金属氧化层的材料包括氧化铟锌、氧化钼和氧化铟锡中的一种;
制作所述金属层的材料包括钛、钼钛、钼铌、钨、钛钨和钼钽中的一种。
10.一种电子装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供一显示组件,所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层,所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分;
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层,所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分,所述第三部分和所述第一部分相对,所述第四部分和所述第二部分相对;
对所述金属层进行第一刻蚀处理,以刻蚀未被所述保护层保护的金属层;
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理,以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的部分所述金属氧化层,以在所述第二部分上形成所述金属氧化层的第六部分,且所述第六部分与所述第四部分相互间隔形成一发声微腔,所述发声微腔包括多个间隔的子发声微腔;
剥离所述保护层;
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器,以驱动所述第四部分振动而发出声音,所述激励器和所述金属层覆盖所述显示组件。
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