[发明专利]电浆清洁设备

说明书

本发明是一种电浆清洁设备，包括腔体、射频电极、载台、电极与第一遮板，其中第一遮板相邻腔体顶部，且第一遮板具有复数第一开口以形成非平整底面。在电浆清洁设备的清洁过程中，氩离子撞击载台上的铝基板，而溅镀出来的铝与腔体中的脏污反应，并吸附在第一遮板的非平整底面，以降低腔体他处受脏污附着的机率。

技术领域

本发明是一种电浆清洁设备，尤其指一种透过第一遮板收集脏污的一种电浆清洁设备。

背景技术

在半导体的电浆清洗制程中，是使电浆清洗设备产生电浆，让氩气经解离后撞击晶圆，以撞击出晶圆表面的脏污，达到晶圆清洁的效果。然而，部分脏污悬浮在腔体中，且可能掉落回晶圆表面，并随着晶圆进行后续制程，例如金属镀膜制程。若脏污掉落于晶圆未来的布线区，将使导线无法导通，进而降低产品的良率。

一种改善上述问题的方法是在固定的周期以铝基板取代晶圆受氩离子的撞击，溅镀出来的铝可与残留在腔体的脏污反应，并附着于腔体的遮板上，降低脏污掉落回晶圆表面的机率。然而，由于电浆清洗设备是利用线圈感应磁场来产生电浆以进行电浆清洗制程，当腔体被过多金属覆盖时，将造成感应磁场的穿透受到阻碍，进而影响电浆的产生。

一种改善题的方法是使用侧向线圈搭配陶瓷拱顶，并采用金属框架来遮蔽附着脏污的铝，以降低金属附着在陶瓷拱顶的机率。然而，陶瓷拱顶的制作过程复杂，耗时长且制作成本较高。

发明内容

因此，为了克服现有技术的不足处，本发明实施例提供一种电浆清洁设备，可以让附着脏污的铝卡在电浆清洁设备的第一遮板的非平整底面(例如，第一遮板的凹槽内)，如此，可降低脏污悬浮在腔体他处的机率，以增加晶圆的洁净度。

基于前述目的的至少其中之一者，本发明实施例提供的电浆清洁设备包括腔体、射频电极、载台、电极与第一遮板。所述腔体具有腔体顶部与容置空间，而射频电极连接腔体顶部，载台位于容置空间内，电极则连接载台。所述第一遮板位于腔体的容置空间内且相邻腔体顶部，其中第一遮板具有复数第一开口以形成非平整底面。

可选地，所述第一遮板还包括复数第一封闭部，而第一封闭部相邻腔体顶部且与第一开口彼此相对，以在第一遮板形成复数凹槽。

可选地，所述第一开口的截面积小于第一封闭部的截面积。

可选地，所述凹槽还包括第一部分与第二部分，其中第一开口位于第一部分，而第二部分相邻第一封闭部，其中第一部分的截面积小于第二部分的截面积。

可选地，所述凹槽的截面积由第一开口朝第一封闭部的方向逐渐增加。

可选地，所述凹槽的截面积由第一开口朝第一封闭部的方向逐渐减少。

可选地，所述凹槽的截面积由第一开口朝第一封闭部的方向渐缩到零，且复数第一开口彼此紧邻，以使第一遮板的纵切面的复数凹槽形成锯齿状。

可选地，所述第一遮板的非平整底面涂布有化学材料，以使非平整底面形成凹凸面，以增加非平整底面的表面积。

可选地，所述化学材料为氧化钇、氧化铝或陶瓷。

可选地，所述电浆清洁设备还包括第二遮板，位于第一遮板与载台之间，其中第二遮板具有复数下开口与复数上开口，且复数下开口连通复数上开口，以在第二遮板形成复数通孔。

简言之，本发明实施例提供的电浆清洁设备是透过第一遮板的非平整底面捕捉附着脏污的金属，以降低脏污存在腔体他处的机率，如此，可增加晶圆的洁净度，故于对电浆清洗设备及制程有需求的市场(例如，半导体)具有优势。

附图说明

图1是本发明实施例的电浆清洁设备的示意图。

图2是本发明实施例的第一遮板的示意图。

图3是本发明另一实施例的第一遮板的示意图。