[发明专利]一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用

权利要求书

1.一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：采用磁控溅射技术，以组分纯度为99.99％的Zn掺杂Ag靶材作为原料，溅射气体为Ar气，选择性地在镀膜过程中引入微量O₂，实现超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜；利用磁控溅射或反应等离子沉积技术实现低温生长氧化物Oxide薄膜，从而得到基于超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜的复合结构Oxide/Ag-Zn/Oxide或Oxide/Ag-Zn(O)/Oxide薄膜；

利用磁控溅射技术生长超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜，Ag靶中靶材组分Zn的原子百分比为2％-9.5％；Oxide薄膜为MGZO、NiOx、SnOx或Ga₂O₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：复合薄膜Oxide/Ag-Zn/Oxide或Oxide/Ag-Zn(O)/Oxide衬底为玻璃衬底或柔性衬底材料，柔性衬底材料包括但不限于PET或PI。

3.根据权利要求1所述的超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)使用的镀膜技术包括且不限于磁控溅射或热蒸发技术。

4.根据权利要求1所述的超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：Oxide薄膜制造技术包括且不限于磁控溅射或反应等离子体沉积技术。

5.根据权利要求1所述的超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：Oxide/Ag-Zn/Oxide或Oxide/Ag-Zn(O)/Oxide中，所述Oxide薄膜厚度为20-100nm；Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜厚度为3-12nm。

6.根据权利要求1所述的超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征是：利用磁控溅射技术生长超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜的方法中，气体Ar气压为0.1-3.0Torr；过程中引入氧气的流量为0至20sccm；衬底温度为液氮温度至150℃。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的基于超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜的复合结构Oxide/Ag-Zn/Oxide或Oxide/Ag-Zn(O)/Oxide复合薄膜的应用，其特征是：应用于光电子和柔性电子器件，包括但不限于有机太阳电池、钙钛矿太阳电池、钙钛矿/晶硅叠层太阳电池、发光二极管、柔性显示器件。

8.根据权利要求7所述的基于超薄Ag-Zn或Ag-Zn(O)薄膜的复合结构Oxide/Ag-Zn/Oxide或Oxide/Ag-Zn(O)/Oxide复合薄膜的应用，其中钙钛矿太阳电池的结构特征是：glass/ITO/HTL/PVK/ETL/Oxide/Ag-Zn或Ag-Zn(O)/Oxide/Ag，其中HTL为PEDOT:PSS或NiOx，ETL为PCBM或SnO₂；钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的结构特征是Ag/ITO/a-Si:H(p⁺)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n⁺)/ITO/HTL/PVK/ETL/Oxide/Ag-Zn或Ag-Zn(O)/Oxide/Ag/MgF₂，其中HTL为NiOx，ETL为PCBM或SnO_x。