[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，其中，

该晶片的加工方法具有如下的工序：

框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的该开口中，将热压接片热压接于该晶片的该正面和该框架上，从而形成该晶片和该框架借助该热压接片而一体化的框架单元；

保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对该框架单元进行保持；

加工工序，利用该加工装置的加工单元对该晶片的该背面进行磨削或研磨；以及

清洗工序，从该卡盘工作台搬出该框架单元并对加工完毕的该晶片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在该框架单元形成工序中，在将维持该热压接片的平坦性的平坦化部件配置在该晶片与该框架之间的状态下，将该热压接片热压接于该晶片和该框架上。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

在该加工工序中，使用包含磨粒的研磨垫对该晶片的该背面进行干式研磨。

4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

该热压接片是聚烯烃系片。

5.根据权利要求4所述的晶片的加工方法，其中，

该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。

6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其中，

在该聚烯烃系片是该聚乙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以120℃～140℃的温度对该聚乙烯片进行热压接，在该聚烯烃系片是该聚丙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚丙烯片进行热压接，在该聚烯烃系片是该聚苯乙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以220℃～240℃的温度对该聚苯乙烯片进行热压接。

7.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

该热压接片是聚酯系片。

8.根据权利要求7所述的晶片的加工方法，其中，

该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片或聚萘二甲酸乙二醇酯片。

9.根据权利要求8所述的晶片的加工方法，其中，

在该聚酯系片是该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，在该框架单元形成工序中以250℃～270℃的温度对该聚对苯二甲酸乙二醇酯片进行热压接，在该聚酯系片是该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚萘二甲酸乙二醇酯片进行热压接。