[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，能够防止搬送路径和装置等的污染。晶片的加工方法对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的开口，将热压接片热压接于晶片的正面和框架上，从而形成晶片和框架借助热压接片而一体化的框架单元；保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对框架单元进行保持；加工工序，利用加工装置的加工单元对晶片的背面进行磨削或研磨；以及清洗工序，从卡盘工作台搬出框架单元并对加工完毕的晶片进行清洗。

技术领域

本发明涉及在对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片进行加工时使用的晶片的加工方法。

背景技术

在组装于移动电话或个人计算机等电子设备的器件芯片的制造工序中，例如在由硅等半导体或蓝宝石等绝缘体构成的晶片的正面上设定多条分割预定线(间隔道)。另外，在由分割预定线划分的正面的各区域中形成IC(Integrated Circuit：集成电路)或LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等器件。

对于在正面的各区域中形成有器件的晶片，例如在通过磨削或研磨等方法将背面侧加工至期望的厚度之后，使用切削装置或激光加工装置等按照分割预定线进行分割。由此，能够得到分别具有上述那样的器件的多个器件芯片。

但是，当通过磨削或研磨等方法对晶片进行加工时，晶片变薄而强度降低。因此，不容易在不使通过磨削或研磨等方法加工后的晶片破损的情况下以单体进行搬送。因此，提出了在对晶片进行加工之前使用粘接带使晶片与环状的框架一体化的方法(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开平10-284449号公报

专利文献2：日本特开平11-40520号公报

但是，当通过磨削或研磨等方法对使用粘接带而与环状的框架一体化后的晶片进行加工时，加工时从晶片产生的屑(加工屑)会附着于在晶片与框架之间露出的粘接带的粘接层。例如，如果在对晶片进行搬送时该屑从粘接带脱落，则搬送路径和装置等被污染。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够防止搬送路径和装置等的污染的晶片的加工方法。

根据本发明的一个方面，提供一种晶片的加工方法，对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的该开口中，将热压接片热压接于该晶片的该正面和该框架上，从而形成该晶片和该框架借助该热压接片而一体化的框架单元；保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对该框架单元进行保持；加工工序，利用该加工装置的加工单元对该晶片的该背面进行磨削或研磨；以及清洗工序，从该卡盘工作台搬出该框架单元并对加工完毕的该晶片进行清洗。

在本发明的一个方面中，优选的是，在该框架单元形成工序中，在将维持该热压接片的平坦性的平坦化部件配置在该晶片与该框架之间的状态下，将该热压接片热压接于该晶片和该框架上。

另外，在本发明的一个方面中，也可以为，在该加工工序中，使用包含磨粒的研磨垫对该晶片的该背面进行干式研磨。

另外，在本发明的一个方面中，该热压接片例如是聚烯烃系片。优选的是，该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。

在该聚烯烃系片是该聚乙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以120℃～140℃的温度对该聚乙烯片进行热压接。在该聚烯烃系片是该聚丙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚丙烯片进行热压接。而且，在该聚烯烃系片是该聚苯乙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以220℃～240℃的温度对该聚苯乙烯片进行热压接。